[发明专利]腔室清洁方法、基板处理方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种用于清洁具有用于处理基板的处理空间的腔室的方法，所述方法包括：

通过向所述处理空间中供应清洁介质来清洁所述腔室，

其中所述清洁介质包括具有非极性的超临界流体和具有极性的有机溶剂。

2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述有机溶剂从所述腔室的外部供应到虚设基板上，并且

其中具有以特定厚度供应的有机溶剂的所述虚设基板被设置在所述处理空间中。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述虚设基板被设置在所述处理空间中并且所述处理空间与所述外部隔绝的状态下，通过与所述腔室连接的流体供应管线将所述超临界流体供应到所述处理空间。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述处理空间向所述外部打开的状态下，将所述有机溶剂从设置在所述腔室外部的溶剂喷嘴供应到所述处理空间中。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在将所述有机溶剂供应到所述处理空间中之后将所述处理空间与所述外部隔绝，然后通过与所述腔室连接的流体供应管线将所述超临界流体供应到所述处理空间中。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述处理空间与所述外部隔绝的状态下，通过与所述腔室连接的溶剂供应管线将所述有机溶剂供应到所述处理空间中。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述处理空间与所述外部隔绝的状态下，通过与所述腔室连接的流体供应管线将所述超临界流体供应到所述处理空间中，

其中所述溶剂供应管线与所述流体供应管线连接，并且

其中通过所述流体供应管线将所述有机溶剂供应到所述处理空间。

8.根据权利要求7所述的方法，其中同时供应所述有机溶剂和所述超临界流体。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述腔室是用于对所述基板进行超临界处理工序的高压腔室。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述超临界流体包括二氧化碳(CO₂)。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述有机溶剂包括甲醇、乙醇、1-丙醇、丙酮、乙腈、氯仿、二氯甲烷和乙酸乙酯中的一种。

12.一种处理基板的方法，所述方法包括：

清洁其中具有处理空间的腔室的内部；和

通过向所述处理空间中供应超临界流体来处理所述基板，

其中所述清洁腔室的内部包括：

通过向所述处理空间供应清洁介质来清洁所述腔室，并且

其中所述清洁介质包括具有非极性的超临界流体和具有极性的有机溶剂。

13.根据权利要求12所述的方法，其中对所述基板的所述处理包括：

干燥所述基板。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述清洁腔室的内部还包括：

从所述腔室的外部将所述有机溶剂供应到虚设基板上；

将具有以特定厚度供应的有机溶剂的所述虚设基板设置在所述处理空间中；和

当所述虚设基板设置在所述处理空间中时，在所述处理空间与所述外部隔绝的状态下，通过与所述腔室连接的流体供应管线将所述超临界流体供应到所述处理空间中。

15.根据权利要求12所述的方法，其中在所述处理空间向所述外部开放的状态下，从设置在所述腔室的外部的溶剂喷嘴将所述有机溶剂供应到所述处理空间中，并且

其中在将所述有机溶剂供应到所述处理空间中后将所述处理空间与所述外部隔绝，然后通过与所述腔室连接的流体供应管线将所述超临界流体供应到所述处理空间中。