[发明专利]ITO薄膜的制作方法

说明书

本发明涉及一种ITO薄膜的制作方法，包括：将靶材放置于成膜腔室内与成膜板相对的背板上；对成膜腔室进行抽气处理；向成膜腔室内通入工艺气体，以使成膜腔室内的气体压强为预设压强；为所述背板提供直流电；停止向所述成膜腔室内通入所述工艺气体，并对所述成膜腔室进行二次抽气处理。在低温条件下，对成膜腔室内通入工艺气体以清除隔离层表面的粒子，使得薄膜在成膜板上的附着性提升。一次抽气处理使得成膜腔室内部达到高真空状态，保证成膜腔室内的洁净度，改善了薄膜的致密性；二次抽气处理去除了薄膜表面异物，降低了因异物导致后续制程缺陷的超标率，从而获得符合更高参数要求的薄膜。

技术领域

本发明涉及平板显示技术领域，特别是涉及一种ITO薄膜的制作方法。

背景技术

ITO(Indium Tin Oxide，掺锡氧化铟，亦称为氧化铟锡)薄膜作为透明导电材料，是液晶显示器、等离子显示器、电致发光显示器、触摸屏、太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极最常用的薄膜材料。ITO薄膜是一种体心立方铁锰矿N型半导体，其光学性能和电学性能可以用Drude模型进行定量研究，ITO薄膜一般具有大于可见光子能量(3.1eV)的光学禁带宽度，可见光不能引起本证激发，因而它对光不具有吸收性，对可见光透明。

传统的沉积ITO薄膜采用磁控溅射方法，在低温沉积过程中，Sn在ITO薄膜中以SnO形式存在，In在ITO薄膜中以InO形式存在，导致载流子浓度偏低和膜电阻偏高。由于SnO和InO自身呈暗褐色，对可见光透过率较差。而且，成膜板表面的附着性影响ITO薄膜的成膜速率，成膜腔室温度过高导致成膜板的温度升高，使得ITO薄膜呈多晶结构，不利于后续在低温条件下采用草酸进行刻蚀。而传统的薄膜制作工艺均存在上述问题，使得生产的ITO薄膜参数要求较低，无法满足更高要求的显示屏。

发明内容

基于此，有必要提供增加薄膜透过率、降低薄膜电阻以及在低温条件下具有无定型态的高参数ITO薄膜，提供一种ITO薄膜的制作方法。

一种ITO薄膜的制作方法，包括：将靶材放置于成膜腔室内与成膜板相对的背板上；对成膜腔室进行抽气处理；向成膜腔室内通入工艺气体，以使成膜腔室内的气体压强为预设压强；为所述背板提供直流电；停止向所述成膜腔室内通入所述工艺气体，并对所述成膜腔室进行二次抽气处理。

在其中一个实施例中，所述成膜腔室的温度为25～50℃。

在其中一个实施例中，所述向成膜腔室内通入工艺气体的步骤为：持续10～30秒向成膜腔室内通入所述工艺气体。

在其中一个实施例中，所述工艺气体包括氩气和氧气。

在其中一个实施例中，所述氩气与所述氧气的流量比为100:(0.5～3)。

在其中一个实施例中，所述工艺气体包括氩气和水蒸气。

在其中一个实施例中，所述氩气与所述水蒸气的流量比为100:(1～3)。

在其中一个实施例中，所述预设压强为1.3×10^-5～1.3×10^-4Pa。

在其中一个实施例中，所述将靶材放置于成膜腔室内与成膜板相对的背板上的步骤之前还包括：在成膜板上形成隔离层并对隔离层进行清洗处理。

在其中一个实施例中，所述停止向所述成膜腔室内通入工艺气体，并对成膜腔室进行二次抽气处理的步骤之后包括：对成膜板上的薄膜进行显影、曝光以及刻蚀处理。