[发明专利]ITO薄膜的制作方法有效
| 申请号： | 201810374609.3 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108385073B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 何海山;刘力明;黄伟东;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ito 薄膜 制作方法 | ||
1.一种ITO薄膜的制作方法，其特征在于，包括：
将靶材放置于成膜腔室内与成膜板相对的背板上；
对成膜腔室进行抽气处理，以使所述成膜腔室的温度为25℃～50℃；
向成膜腔室内通入工艺气体，以使成膜腔室内的气体压强为预设压强；
为所述背板提供直流电；
停止向所述成膜腔室内通入所述工艺气体，并对所述成膜腔室进行二次抽气处理；
其中，所述工艺气体包括氩气和氧气，所述氩气与所述氧气的流量比为100:(0.5～3)；和/或，所述工艺气体包括氩气和水蒸气，所述氩气与所述水蒸气的流量比为100:(1～3)。
2.根据权利要求1所述ITO薄膜的制作方法，其特征在于，所述成膜腔室的温度为25℃。
3.根据权利要求1所述ITO薄膜的制作方法，其特征在于，所述向成膜腔室内通入工艺气体的步骤为：持续10～30秒向成膜腔室内通入所述工艺气体，以使工艺气体在流动的过程中将隔离层表面的粒子清除。
4.根据权利要求1所述ITO薄膜的制作方法，其特征在于，所述氩气与所述氧气的流量比为100:3、100:1或者100:0.5。
5.根据权利要求1所述ITO薄膜的制作方法，其特征在于，所述氩气与所述水蒸气的流量比为100:1。
6.根据权利要求1所述ITO薄膜的制作方法，其特征在于，所述直流电的电源的功率控制在额定功率的60％～80％之间。
7.根据权利要求1所述ITO薄膜的制作方法，其特征在于，停止向所述成膜腔室内通入所述工艺气体，并对所述成膜腔室进行二次抽气处理的步骤包括：
停止向所述成膜腔室内通入所述工艺气体，采用分子泵或冷泵对所述成膜腔室进行5～10秒的二次抽气处理，将所述成膜腔室内的残留工艺气体清除。
8.根据权利要求1所述ITO薄膜的制作方法，其特征在于，所述预设压强为1.3×10-5～1.3×10-4Pa。
9.根据权利要求1所述ITO薄膜的制作方法，其特征在于，所述将靶材放置于成膜腔室内与成膜板相对的背板上的步骤之前还包括：
在成膜板上形成隔离层并对隔离层进行清洗处理。
10.根据权利要求1所述ITO薄膜的制作方法，其特征在于，所述停止向所述成膜腔室内通入工艺气体，并对成膜腔室进行二次抽气处理的步骤之后包括：对成膜板上的薄膜进行显影、曝光以及刻蚀处理。
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