[发明专利]显示母板及制备方法、显示基板及制备方法、显示装置有效
申请号: | 201810373959.8 | 申请日: | 2018-04-24 |
公开(公告)号: | CN108538762B | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 谢春燕;蔡宝鸣;张嵩 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/78;H01L27/32;G09F9/33 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 母板 制备 方法 显示装置 | ||
本发明提供一种显示母板及制备方法、显示基板及制备方法、显示装置,属于显示技术领域。本发明的显示母板的制备方法,所述显示母板包括:多个显示基板区;所述显示基板区包括:子显示区和子弯折区;所述显示母板的制备方法包括:在柔性衬底基板上形成粘结力可变型背膜材料;所述背膜材料具有第一粘结力;去除与所述子弯折区位置对应的所述背膜材料;对剩余的所述背膜材料进行处理,以使剩余的所述背膜材料具有第二粘结力,形成位于所述柔性衬底基板上的背膜;其中,所述第二粘结力大于所述第一粘结力。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种显示母板即制备方法、显示基板及制备方法、显示装置。
背景技术
有机OLED柔性显示一般由柔性衬底基板、位于柔性衬底基板上的驱动TFT阵列,OLED发光器件和薄膜封装结构构成。目前下边框的窄边框实现是将绑定(bonding)区弯折到背面来实现的。其中,要实现对折式的小半径弯折,需要将背膜上对应弯折区的背膜(film)去除。业内成熟的做法是:首先,在柔性衬底基板的背面贴覆临时保护膜,切成单个面板之后,揭去临时保护膜,将开槽好的背膜贴合到柔性衬底基板的背面。采用这种先将背膜图案化后,也即,在背膜上与面板弯折区对应的位置形成开口,再切割成与面板尺寸现对应的小片,最后逐一贴附在每个面板的柔性衬底基板的背面。在此需要说明的是,现有技术中之所以要将背膜分割好单独贴附是因为,现有技术中的背膜材料的粘结力较大,如果先贴附整层的背膜材料在柔性衬底基板上,则导致与弯折区对应的位置背膜材料无法剥离下来。
不难看出的是,上述背膜的贴附工艺复杂,效率低,设备需求多,材料成本极大。因此,亟需一种能够提高工艺效率的背膜贴附的方法。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种提高工艺效率的显示母板的制备方法及显示母板、显示基板的制备方法及显示基板、显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示母板的制备方法,所述显示母板包括:多个显示基板区;所述显示基板区包括:子显示区和子弯折区;所述显示母板的制备方法包括:
在柔性衬底基板上形成背膜材料;所述背膜材料具有第一粘结力;
去除与所述子弯折区位置对应的所述背膜材料;
对剩余的所述背膜材料进行处理,以使剩余的所述背膜材料具有第二粘结力,形成位于所述柔性衬底基板上的背膜;其中,所述第二粘结力大于所述第一粘结力。
优选的是,在所述对剩余的所述背膜材料进行处理,以使剩余的所述背膜材料具有第二粘结力,形成位于所述柔性衬底基板上的背膜的步骤,与所述去除所述子弯折区位置对应的所述背膜材料的步骤之间,还包括:
在所述背膜材料远离所述柔性衬底基板的一侧形成保护膜。
优选的是,多个所述显示基板区呈阵列排布,所述显示母板包括弯折区,所述弯折区贯穿位于同一列的所述子弯折区;所述去除与所述子弯折区位置对应的所述背膜材料的步骤,具体包括:
去除与所述显示母板的弯折区位置对应的所述背膜材料,以去除与所述子弯折区位置对应的所述背膜材料。
优选的是,所述对剩余的所述背膜材料进行处理,以使剩余的所述背膜材料具有第二粘结力,形成位于所述柔性衬底基板上的背膜的步骤,具体包括:
对所述柔性衬底基板具有所述背膜材料的一侧,采用UV光进行照射,以使所述柔性衬底基板上剩余的所述背膜材料具有第二粘结力,形成位于所述柔性衬底基板上的背膜。
优选的是,所述UV光照的能量包括:1000-5000mJ/cm2。
优选的是,所述对剩余的所述背膜材料进行处理,以使剩余的所述背膜材料具有第二粘结力,形成位于所述柔性衬底基板上的背膜的步骤,具体包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造