[发明专利]图像传感器有效
申请号: | 201810371930.6 | 申请日: | 2018-04-24 |
公开(公告)号: | CN109728007B | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 郑允玮;周俊豪;陈信吉;李国政;黄熏莹 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,其特征在于,包含:
半导体衬底,包含排列成阵列的多个传感像素,每一所述多个传感像素分别包含多个图像传感单元和多个相位检测单元;
多个滤色器,至少覆盖所述多个图像传感单元;
遮光栅层及图案化的介电层,所述图案化的介电层堆叠在所述遮光栅层上,其中所述遮光栅层及所述图案化的介电层位于两个相邻的滤色器之间;
多个第一透镜,设置于所述多个滤色器上,每一所述多个第一透镜分别覆盖所述多个图像传感单元中的一个;以及
第二透镜,覆盖所述多个相位检测单元。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述半导体衬底还包含互连结构,所述互连结构设置在所述多个图像传感单元和所述多个相位检测单元上并与所述多个图像传感单元和所述多个相位检测单元电连接,所述半导体衬底位于所述多个滤色器和所述互连结构之间。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,其中所述多个滤色器位于所述多个图像传感单元和所述多个第一透镜之间。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,其中所述多个滤色器还覆盖所述多个相位检测单元。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,其中所述多个相位检测单元不被所述多个滤色器覆盖。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,其中每一所述多个第一透镜的第一覆盖范围小于所述第二透镜的第二覆盖范围。
7.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,其中所述半导体衬底还包括沟槽隔离,所述沟槽隔离位于所述多个图像传感单元之间,且所述图案化的介电层及所述遮光栅层位于相应的所述沟槽隔离上方。
8.一种图像传感器,其特征在于,包含:
半导体衬底,包含排列成阵列的多个传感像素,每一所述多个传感像素分别包含多个图像传感单元;
多个滤色器,覆盖所述多个图像传感单元;
遮光栅层及图案化的介电层,所述图案化的介电层堆叠在所述遮光栅层上,其中所述遮光栅层及所述图案化的介电层位于两个相邻的滤色器之间;
多个第一透镜,设置于所述多个滤色器上,每一所述多个第一透镜分别覆盖所述多个图像传感单元中的一个;以及
多个第二透镜,每一所述多个第二透镜分别覆盖所述多个图像传感单元中的至少两个,其中所述多个第二透镜和被所述多个第二透镜覆盖的所述多个图像传感单元的部分提供相位检测功能。
9.根据权利要求8所述的图像传感器,其特征在于,其中所述半导体衬底还包含互连结构,所述互连结构设置在所述多个图像传感单元上并与所述多个图像传感单元电连接,且所述半导体衬底位于所述多个滤色器和所述互连结构之间。
10.根据权利要求8所述的图像传感器,其特征在于,其中被所述多个第二透镜所覆盖的所述多个图像传感单元的所述部分不被所述多个滤色器覆盖。
11.根据权利要求8所述的图像传感器,其特征在于,其中每一所述多个第一透镜的第一覆盖范围小于每一所述多个第二透镜的第二覆盖范围。
12.根据权利要求8所述的图像传感器,其特征在于,其中所述半导体衬底还包括沟槽隔离,所述沟槽隔离位于所述多个图像传感单元之间,且所述图案化的介电层及所述遮光栅层位于相应的所述沟槽隔离上方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的