[发明专利]一种以c轴取向的AlN薄膜为传感器的测温方法有效
| 申请号： | 201810366196.4 | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN108613754B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 蒋洪川;闫帅;王洪敏;赵晓辉;张万里;李杨;赵丽君;熊兵;田晓宇;俞一冰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01K11/30 | 分类号： | G01K11/30 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热端部件 半高宽 标准曲线 高温运转 衍射峰 传感器 测温 薄膜 退火 复杂测试设备 测温传感器 测试 被测部件 测试环境 工作区间 工作系统 退火处理 温度测试 异型结构 等时 可用 判读 埋设 取出 测量 | ||
1.一种以c轴取向的AlN薄膜为传感器的测温方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、制备c轴取向的AlN薄膜作为测温传感器，然后对c轴取向的AlN薄膜进行不同温度下的等时退火处理，同时记录退火温度T；然后通过XRD技术测试经退火处理后的AlN薄膜的(002)面的衍射峰半高宽F，以衍射峰半高宽F为纵坐标，退火温度T为横坐标，得到该批次的AlN薄膜的衍射峰半高宽F随退火温度T变化的曲线，称为F-T标准曲线；
步骤2、将同一批次的未经退火处理的c轴取向的AlN薄膜埋设于被测热端部件的表层或表面，并随含被测热端部件的工作系统进行高温运转；
步骤3、取出步骤2高温运转后的AlN薄膜，并采用XRD技术测试其(002)面的衍射峰半高宽F，通过与步骤1得到的F-T标准曲线对比，找出该衍射峰半高宽值相对应的温度值，即为被测热端部件的最高工作温度。
2.根据权利要求1所述的以c轴取向的AlN薄膜为传感器的测温方法，其特征在于，步骤1所述c轴取向的AlN薄膜的厚度为20nm～2μm。
3.根据权利要求1所述的以c轴取向的AlN薄膜为传感器的测温方法，其特征在于，步骤1所述c轴取向的AlN薄膜的制备过程具体为：采用射频反应溅射的方法，以纯度不低于99.99wt％的Al靶为靶材，在背底真空度为5×10-4Pa以下，溅射气体为N2和Ar混合气体，N2体积分数为20％～40％，溅射气压为0.4～1.0Pa，溅射功率为100～500W的条件下在清洗干净的蓝宝石衬底上制备c轴取向的AlN薄膜，沉积薄膜厚度为20nm～2μm。
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