[发明专利]半导体基板的清洗干燥方法

说明书

本发明提供一种半导体基板的清洗干燥方法，其可在不用特殊装置的情况下，抑制对清洗基板后的清洗液进行干燥时发生的图案倒塌或损坏及图案底部的树脂分解，能有效去除清洗液，其特征在于包括以下工序：(I)用清洗液清洗形成图案的半导体基板；(II)用包含含通式(1)所示的重复单元的树脂(A)及溶剂的组合物置换所述基板上残留的清洗液并以小于所述树脂(A)的分解温度的温度加热去除该已置换的组合物中的溶剂；(III)通过将所述半导体基板保持0℃以上且小于所述树脂(A)的分解温度的温度并同时对所述树脂(A)吹气温度为所述树脂(A)的分解温度以上的气体，从与所述气体接触的表面侧分解去除所述树脂(A)。

技术领域

本发明涉及一种对形成有图案的半导体基板进行清洗、干燥的方法。

背景技术

近年来，随着半导体装置的高集成化与高速度化，不仅开始提出了使用了基于光曝光的平面细微化的集成度的提高，还开始提出了立体的半导体装置的结构。因此，与以往相比，半导体装置制造工序中的基板加工的程度提高，且加工成了形成有更细更深的图案的基板(以下，称为高高宽基板)。

这样的加工基板通常使用干法蚀刻进行加工，但为了将该加工工序中产生的微小颗粒或污染等从基板表面去除而使其清洁化，需要清洗及干燥工序。特别是，干燥工序对于防止经加工的基板的图案倒塌或图案损坏而言是非常重要的，例如提出了一种利用离心力去除基板清洗中所使用的水分、或者用异丙醇置换后再进行干燥的方法(专利文献1、2)、使用各种氟化合物的方法(专利文献3、4)等。然而，若对近年的高高宽基板使用如上所述的方法，则会发生在干燥时产生图案的倒塌或损坏、或因清洗液的干燥不充分而产生水印等这样的问题。

此外，作为其他方法，提出了一种通过使用超临界状态的清洗液进行清洗从而防止图案损坏的方法(专利文献5)，但该方法由于需要操作超临界状态的清洗液的特殊装置，因此存在高成本化的问题。

本申请的发明人提出了一种应用可通过酸及热中的任一者或两者而分解的树脂的清洗干燥方法(专利文献6)。然而，该方法中，由于在加热基板时存在比树脂的分解温度更高温的情况，因此在基板上的图案底部(即，不暴露于氛围中的、更靠近基板侧的部分)发生树脂的分解、挥发，根据图案的高宽比而未能防止图案倒塌。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平1-140728号公报

专利文献2：日本特开平6-310486号公报

专利文献3：日本特开平7-70599号公报

专利文献4：日本特开2008-98616号公报

专利文献5：日本特开2005-72568号公报

专利文献6：日本特开2015-149384号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

本发明鉴于上述技术问题而完成，其目的在于提供一种半导体基板的清洗干燥方法，其能够在不使用如操作超临界状态的清洗液那样的特殊装置的情况下，抑制在对清洗基板后的清洗液进行干燥时所发生的图案倒塌或损坏，进一步抑制在应用热分解性树脂时出现的在图案底部的树脂分解，并能够有效去除清洗液。

解决技术问题的技术手段

为了解决上述技术问题，本发明提供一种半导体基板的清洗干燥方法，该方法为清洗形成有图案的半导体基板并使其干燥的方法，其包括：

(I)用清洗液清洗所述形成有图案的半导体基板的工序；