[发明专利]一种掩膜版及其制造方法

说明书

本发明提供一种掩膜版及其制造方法，包括：衬底，具有相背的第一表面和第二表面，衬底内具有贯穿衬底的多个开口，衬底的材料为能够进行半导体刻蚀工艺的材料；位于第一表面的掩膜图形层，掩膜图形层的材料为能够进行半导体刻蚀工艺的材料；掩膜图形层具有图形区和遮挡区，图形区具有至少一个通孔，开口暴露出所述图形区，每一开口与一图形区相对且暴露出图形区中的所有通孔，遮挡区位于图形区的外侧、与衬底相对；顶层衬底层，位于掩膜图形层与第一表面相背的表面上，其中，顶层衬底层中具有贯穿顶层衬底层的多个凹槽，凹槽露出图形区，每一凹槽与一图形区相对且暴露出图形区中的所有通孔。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种掩膜版及其制造方法。

背景技术

有机发光显示器(Organic Light-Emitting Dide，简称OLED)与目前的液晶显示器显示技术相比，具有可视角大，色彩艳丽，功耗低等优点，近几年产业化速度突飞猛进。

当前OLED显示器面板的制作过程中通常采用蒸镀法形成有机发光层，而有机发光层的蒸镀一般会使用到金属掩模板。金属掩模板的开口质量、开口位置精度直接影响有机发光层的沉积质量，进而影响后期产品质量。目前OLED的金属掩膜版加工工艺通常使用因瓦合金(INVAR，又称殷钢)通过化学刻蚀的方法来制备，首先在因瓦合金表面涂覆光刻胶或感光干膜，通过曝光的方式将掩膜版的精细图案转移在感光膜上，再通过显影和化学刻蚀的方式最后制成精细金属掩膜版，通过该方法其精度通常在微米级，因此做出的金属掩模板的质量和精准度不能很好的满足要求。

因此，有必要提出一种新的掩膜版及其制造方法，以解决上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对目前存在的问题，本发明一方面提供一种掩膜版，包括：

衬底，具有相背的第一表面和第二表面，所述衬底内具有贯穿所述衬底的多个开口，所述衬底的材料为能够进行半导体刻蚀工艺的材料；

位于所述第一表面的掩膜图形层，所述掩膜图形层的材料为能够进行半导体刻蚀工艺的材料；

所述掩膜图形层具有图形区和遮挡区，每一所述图形区具有至少一个通孔，所述开口暴露出所述图形区，每一所述开口与一所述图形区相对且暴露出图形区中的所有通孔，所述遮挡区位于所述图形区的外侧、与所述衬底相对；

顶层衬底层，位于所述掩膜图形层与所述第一表面相背的表面上，其中，所述顶层衬底层中具有贯穿所述顶层衬底层的多个凹槽，所述凹槽露出所述图形区，每一所述凹槽与一所述图形区相对且暴露出图形区中的所有所述通孔。

示例性地，还包括：第一支撑层，覆盖所述顶层衬底层、所述凹槽的表面以及所述通孔的表面。

示例性地，第二支撑层，至少覆盖所述开口的表面、所述衬底的第二表面以及所述通孔的表面。

示例性地，还包括：第三支撑层，第三支撑层至少覆盖所述掩膜图形层与所述第一表面相邻的表面以及通孔的表面，和/或，还包括第四支撑层，所述第四支撑层至少覆盖所述掩膜图形层与所述第一表面相背的表面以及通孔的表面。

示例性地，还包括：保护层，位于所述掩膜版的最顶层，具有贯穿所述保护层的多个沟槽，所述沟槽露出所述凹槽，每一所述沟槽与一所述凹槽相对。

示例性地，所述衬底为SOI的底层硅，所述顶层衬底层为SOI的顶层硅，所述掩膜图形层为SOI的埋层。