[发明专利]低方阻金属化薄膜及蒸镀工艺

说明书

本发明一种低方阻金属化薄膜，包括基膜(1)、蒸镀在基膜蒸镀侧纵向中轴的金属镀层带(2)以及空白留边带(3)，所述金属镀层带(2)的方阻为0.35～0.85Ω/□。本发明蒸镀的低方阻金属化薄膜，可以在温度急剧变化、高温、强振动和高辐射环境、失重和微重力等极端环境条件下使用，并有很高的可靠性。

技术领域

本发明涉及薄膜电容器生产制造用金属化薄膜材料，特别是涉及一种低方阻金属化薄膜及蒸镀工艺。

背景技术

薄膜电容器因其具有良好的耐压性和自愈性得到广泛应用，金属化薄膜是薄膜电容器生产制造的重要材料，将高纯度金属（如AL，ZN）在高真空状态下熔化、蒸发、沉淀到介质基膜上，在介质基膜表面形成一层极薄的金属镀层后的薄膜就是金属化薄膜；金属化薄膜上的金属镀层的单位正方形面积的电阻值称为方阻（即方块电阻，用Ω/□表示），金属镀层的厚度和方阻值成反比，即方阻越低，金属镀层厚度越大；常规金属化薄膜的方阻为2～4Ω/□；在一般大气条件下，此种金属化薄膜使用适用的，但在温度急剧变化、高温、强振动和高辐射环境、失重和微重力等极端环境条件下，则无法保证其制造的电容器的可靠性。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术中存在的不足，提供一种低方阻金属化薄膜及蒸镀工艺，可以在温度急剧变化、高温、强振动和高辐射环境、失重和微重力等极端环境条件下使用，并有很高的可靠性。

技术方案

为实现上述目的，本发明采用了以下技术方案：一种方低方阻金属化薄膜，包括基膜、蒸镀在基膜蒸镀侧纵向中轴的金属镀层带以及空白留边带；所述金属镀层带的方阻为0.35～0.85Ω/□，而通常技术条件下金属化薄膜金属镀层带的方阻只能达到2～4Ω/□，即金属化薄膜金属镀层带的厚度是通常技术条件下金属薄膜金属镀层带的7倍左右，金属化薄膜金属镀层带的厚度大幅度增厚，意味着在真空蒸镀时，要在相同的时间内在基膜上沉淀更多的金属，而更多的金属沉淀在基膜，也带来更多的热量烫伤有机基膜，影响金属化薄膜的性能。

进一步的，所述金属镀层带材料为纯铝。

进一步的，一种方低方阻金属化薄膜包括如下蒸镀工艺：

1.镀膜腔内部的真空度为-4×10-3mbar；

2.蒸镀速度为2米/秒；

3.冷却主鼓的 温度为-25℃。

本发明的有益效果在于

经上述蒸镀工艺生产的低方阻金属化薄膜：可以在温度急剧变化、高温、强振动和高辐射环境、失重和微重力等极端环境条件下使用，并有很高的可靠性。

附图说明

图1为本发明剖面图。

图中，1基膜，2金属镀层带，3空白留边带。

具体实施方式

如图1所示，本发明一种低方阻金属化薄膜，包括基膜(1)、蒸镀在基膜蒸镀侧纵向中轴的金属镀层带(2)以及空白留边带(3)；所述金属镀层带(2)的方阻为0.35～0.85Ω/□，而通常技术条件下金属化薄膜金属镀层带(2)的方阻只能达到2～4Ω/□，即金属化薄膜金属镀层带(2)的厚度是通常技术条件下金属薄膜金属镀层带(2)的7倍左右，金属化薄膜金属镀层带(2)的厚度大幅度增厚，意味着在真空蒸镀时，要在相同的时间内在基膜上沉淀更多的金属，而更多的金属沉淀在基膜(1)，也带来更多的热量烫伤有机基膜(2)，影响金属化薄膜的性能；

所述金属镀层带(2)材料为纯铝；

一种方低方阻金属化薄膜包括如下蒸镀工艺：

1.镀膜腔内部的真空度为-4×10-3mbar；

2. 蒸镀速度为2米/秒；

3. 冷却主鼓的 温度为-25℃。