[发明专利]低方阻金属化薄膜及蒸镀工艺在审
申请号: | 201810346865.1 | 申请日: | 2018-04-18 |
公开(公告)号: | CN108597865A | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 钱锦绣 | 申请(专利权)人: | 钱立文 |
主分类号: | H01G4/005 | 分类号: | H01G4/005;H01G4/008;H01G4/14;H01G4/33;C23C14/24;C23C14/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 244000 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 方阻 蒸镀 金属化薄膜 金属镀层带 基膜 极端环境条件 高辐射环境 急剧变化 空白留边 纵向中轴 强振动 微重力 失重 | ||
【权利要求书】:
1.一种低方阻金属化薄膜,包括基膜(1)、蒸镀在基膜蒸镀侧纵向中轴的金属镀层带(2)以及空白留边带(3),其特征在于所述金属镀层带(2)的方阻为0.35~0.85Ω/□。
2.根据权利要求1所述的一种低方阻金属化薄膜,其特征在于所述金属镀层带(2)材料为纯铝。
3.根据权利要求1所述的一种低方阻金属化薄膜,其特征在于包括如下蒸镀工艺:
A镀膜腔内部的真空度为-4×10-3mbar;
B蒸镀速度为2米/秒;
C冷却主鼓的 温度为-25℃。
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