[发明专利]网状复合结构薄膜及增韧合成方法有效
| 申请号： | 201810342674.8 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108642460B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 沈燕 | 申请（专利权）人： | 齐鲁工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/36;C23C14/35;C23C14/58;C23C14/30;C23C14/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250353 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 网状 复合 结构 薄膜 合成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种网状ITO/SnO2/Sn复合结构薄膜，其特征在于：
金属Sn纳米粒子经过表层氧化后，形成SnO2/Sn复合粒子基体，复合基体粒子为基点生长ITO纳米晶，纳米晶无序交错形成网状ITO/SnO2/Sn复合结构薄膜；
所述的网状ITO/SnO2/Sn复合结构薄膜的制备方法，包括如下步骤：
利用磁控溅射镀金属Sn厚度10～20nm薄层，120～150℃温度空气氛围热处理，金属薄层团聚成金属纳米颗粒，且表面氧化出SnO2薄层，获得Sn/SnO2复合颗粒结构；
金属Sn柔软易弯曲展性好物理性质，且ITO材料为Sn掺杂氧化铟，纳米晶生长过程中易形成共熔剂；
将金属Sn纳米粒子修饰后的基底，置于电子束蒸发设备中，以SnO2质量分数为5～10％的ITO靶材为蒸发源料，设置温度280～350℃、压力1×10-4～1×10-3m Torr 、功率600～800KW、速率以金属复合粒子为基点气液固模式生长ITO纳米晶，纳米晶连接成网状ITO/SnO2/Sn复合结构薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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