[发明专利]曝光成孔薄型化埋入式线路卷式制造方法有效

专利信息
申请号: 201810331905.5 申请日: 2018-04-13
公开(公告)号: CN110381676B 公开(公告)日: 2021-10-12
发明(设计)人: 施振四;叶佐鸿;谢明哲;张扬;蔡佳峰;陈柏廷;简胜德;陈依婷 申请(专利权)人: 台郡科技股份有限公司
主分类号: H05K3/42 分类号: H05K3/42;H05K3/46
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;鲍俊萍
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 曝光 成孔薄型化 埋入 线路 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种曝光成孔薄型化埋入式线路卷式制造方法,其特征在于,包含以下步骤:

a.准备包含一第一铜箔层及一第二铜箔层的一复合铜箔,其中该第二铜箔层的厚度小于该第一铜箔层;

b.在该第二铜箔层表面形成一第一线路层;

c.在该第二铜箔层表面覆盖一第一感光层,使该第一线路层埋入该第一感光层;

d.在该第一感光层表面形成盲孔,各该盲孔连通该第一感光层表面及该第一线路层表面;

e.在该第一感光层的表面、各该盲孔的内壁及各该盲孔中的该第一线路层表面形成一导电材料层;

f.移除该复合铜箔的该第一铜箔层;

g.在该导电材料层表面及各该盲孔中形成一第二线路层;

h.蚀刻移除该第二铜箔层及未受该第二线路层覆盖的该导电材料层;其中:

该复合铜箔系卷式铜箔。

2.根据权利要求1所述的曝光成孔薄型化埋入式线路卷式制造方法,其特征在于,在该步骤d中,进一步包含以下步骤:

在该第一感光层表面上设置一光掩模;

经由该光掩模对该第一感光层进行曝光;

移除该光掩模并显影该第一感光层以形成盲孔。

3.根据权利要求1所述的曝光成孔薄型化埋入式线路卷式制造方法,其特征在于,进一步包含以下步骤:

i.在该第一感光层表面覆盖一第二感光层,令该第二线路层埋入该第二感光层;

j.在该第二感光层表面形成盲孔,各该盲孔连通该第二感光层表面及该第二线路层表面;

k.在该第二感光层表面、各该盲孔的内壁及各该盲孔中的该第二线路层表面形成一导电材料层;

l.在该导电材料层表面及各该盲孔中形成一第三线路层;

m.蚀刻以移除未受该第三线路层覆盖的导电材料层。

4.根据权利要求3所述的曝光成孔薄型化埋入式线路卷式制造方法,其特征在于,该第一感光层及该第二感光层分别为一感旋旋光性聚亚酰胺层。

5.根据权利要求3所述的曝光成孔薄型化埋入式线路卷式制造方法,其特征在于,该步骤e及步骤k分别以无电镀的方式形成各该导电材料层,且各该导电材料层为一铜层。

6.根据权利要求3所述的曝光成孔薄型化埋入式线路卷式制造方法,其特征在于,在该步骤b中,进一步包含以下步骤:

在该第二铜箔层表面覆盖一第一光刻胶层;

图形化该第一光刻胶层以形成一第一线路层屏蔽;

电镀该第二铜箔层,以在未受该第一线路层屏蔽覆盖的地方形成该第一线路层;

蚀刻以移除该图形化的第一光刻胶层。

7.根据权利要求6所述的曝光成孔薄型化埋入式线路卷式制造方法,其特征在于,在该步骤g中,进一步包含以下步骤:

在该导电材料层表面覆盖一第二光刻胶层;

图形化该第二光刻胶层以形成一第二线路层屏蔽;

电镀该导电材料层,以在未受该第二线路层屏蔽覆盖的地方形成该第二线路层;

移除该图形化的第二光刻胶层。

8.根据权利要求7所述的曝光成孔薄型化埋入式线路卷式制造方法,其特征在于,在该步骤l中,进一步包含以下步骤:

在该导电材料层表面覆盖一第三光刻胶层;

图形化该第二光刻胶层以形成一第三线路层屏蔽;

电镀该导电材料层,以在未受该第三线路层屏蔽覆盖的地方形成该第三线路层;

移除该图形化的第三光刻胶层。

9.根据权利要求8所述的曝光成孔薄型化埋入式线路卷式制造方法,其特征在于,该第一光刻胶层、该第二光刻胶层及该第三光刻胶层分别为卷式干膜光刻胶。

10.根据权利要求3所述的曝光成孔薄型化埋入式线路卷式制造方法,其特征在于,在该步骤j中,进一步包含以下步骤:

在该第二感光层表面上设置一光掩模;

对该第二感光层进行曝光;

移除该光掩模并显影该第二感光层以形成盲孔。

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