[发明专利]一种光刻胶图形的制备方法在审
| 申请号： | 201810324138.5 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110376845A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 乐艮;贾海强;陈弘 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;李科 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻胶图形 光刻胶层 制备 掩膜图形 掩膜层 纳米级图形结构 双光束激光干涉 沉积掩膜层 激光干涉 曝光装置 驻波效应 侧壁 基底 掩膜 曝光 | ||
1.一种光刻胶图形的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：
步骤1)在基底上形成第一光刻胶层；
步骤2)在所述第一光刻胶层上沉积掩膜层；
步骤3)在所述掩膜层上形成第二光刻胶层；
步骤4)利用双光束激光干涉曝光在所述第二光刻胶层上形成第二光刻胶图形；
步骤5)将所述第二光刻胶图形转移到所述掩膜层上以形成掩膜图形；
步骤6)以所述掩膜图形为掩膜，在所述第一光刻胶层上形成第一光刻胶图形。
2.根据权利要求1所述的光刻胶图形的制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶层的厚度为200纳米～2微米。
3.根据权利要求2所述的光刻胶图形的制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶层的厚度为400纳米～500纳米。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光刻胶图形的制备方法，其特征在于，所述第二光刻胶层的厚度为50纳米～150纳米。
5.根据权利要求4所述的光刻胶图形的制备方法，其特征在于，所述第二光刻胶层的厚度为80纳米～100纳米。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的光刻胶图形的制备方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为金、铜、铝和镍中的任一种。
7.根据权利要求6所述的光刻胶图形的制备方法，其特征在于，所述掩膜层的厚度为20纳米～50纳米。
8.根据权利要求6所述的光刻胶图形的制备方法，其特征在于，在所述步骤5)中，利用干法刻蚀工艺同时刻蚀所述第二光刻胶图形和掩膜层。
9.根据权利要求8所述的光刻胶图形的制备方法，其特征在于，刻蚀气体为氩气和氧气，刻蚀时间为2～5分钟。
10.根据权利要求6所述的光刻胶图形的制备方法，其特征在于，在所述步骤6)中，利用干法刻蚀工艺同时刻蚀所述掩膜图形和第一光刻胶层。
11.根据权利要求10所述的光刻胶图形的制备方法，其特征在于，刻蚀气体为氩气和氧气，刻蚀时间为2～5分钟。
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