[发明专利]鉴频鉴相器电路在审
| 申请号: | 201810318222.6 | 申请日: | 2018-04-10 |
| 公开(公告)号: | CN110365329A | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
| 发明(设计)人: | 薛盘斗;冯光涛;张步新 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号: | H03L7/091 | 分类号: | H03L7/091 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 第二信号 支路 上升沿 输出信号 鉴相 输出信号保持 电路 鉴频鉴相器 输入单元 相位差 输出 低电平 高电平 捕获 盲区 | ||
1.一种鉴频鉴相器电路,其特征在于,包括:
第一信号鉴相支路,用于根据第一信号输出第一输出信号,所述第一输出信号与第一信号的上升沿相关;
第二信号鉴相支路,用于根据第二信号输出第二输出信号,所述第二输出信号与第二信号的上升沿相关,所述第一信号相位优先于第二信号,相位差范围为[0,2π];
若第一信号和第二信号的相位差大于π,当第一信号的上升沿到来后,第一输出信号保持为高电平,当第二信号的上升沿到来后,第二输出信号保持为低电平;
若所述第一信号和所述第二信号的相位差不大于π,当第一信号和第二信号的上升沿到来时,所述第一输出信号和所述第二输出信号均跳转为高电平;
所述第一信号鉴相支路包括:
第一输入单元,包括第一或非门,所述第一或非门适于接收第二信号和第二记忆信号,向第一触发器输出第一或非信号,所述第二记忆信号为第二触发器所产生;
第一触发器,适于根据第一信号、第一或非信号、第一输出信号以及第二输出信号,输出第一记忆信号,所述第一记忆信号与第一输出信号相位相反;
第一反相器,用于将第一记忆信号反相,输出第一输出信号;
所述第二信号鉴相支路包括:
第二输入单元,包括第二或非门,所述第二或非门适于接收第一信号和第一记忆信号,向第二触发器输出第二或非信号,所述第一记忆信号为第一触发器所产生;
第二触发器,适于根据第二信号、第二或非信号、第一输出信号以及第二输出信号,输出第二记忆信号,所述第二记忆信号与第二输出信号相位相反;
第二反相器,用于将第二记忆信号反相,输出第二输出信号。
2.根据权利要求1所述的鉴频鉴相器电路,其特征在于,所述第一触发器包括:
第一触发电路,适于根据第一信号、第一或非信号、第一输出信号以及第二输出信号输出第一触发信号,所述第一触发信号在所述第一信号和第二信号相位差不大于π、且第一输出信号和第二输出信号均为高电平时为低电平,且在第一信号和第二信号相位差大于π时保持为高电平;
第一记忆电路,适于根据第一信号和第一触发信号输出第一记忆信号,若第一信号和第二信号相位差为不大于π,当第一信号为低电平时,所述第一记忆信号与第一触发信号电位一致,当第一信号为高电平时,所述第一记忆信号与第一触发信号电位相反,若第一信号和第二信号相位差为大于π,且在第一信号上升沿到来时,第一记忆信号跳变为低电平且保持。
3.根据权利要求2所述的鉴频鉴相器电路,其特征在于,所述第一触发电路包括:
第一触发支路,适于根据第一信号、第一或非信号输出高电平信号;
第一复位支路,其一端与第一触发支路的输出端相连,适于当第一输出信号与第二输出信号均为高电平时,将所述第一触发支路输出的高电平信号复位为低电平。
4.根据权利要求1所述的鉴频鉴相器电路,其特征在于,所述第二触发器包括:
第二触发电路,适于根据第二信号、第二或非信号、第一输出信号以及第二输出信号输出第二触发信号,所述第二触发信号在所述第一信号和第二信号相位差不大于π、且第一输出信号和第二输出信号均为高电平时为低电平,且在第一信号和第二信号相位差大于π时与第二信号电位相反;
第二记忆电路,适于根据第二信号和第二触发信号输出第二记忆信号,若第一信号和第二信号相位差为不大于π,当第二信号为低电平时,所述第二记忆信号与第二触发信号电位一致,当第二信号为高电平时,所述第二记忆信号与第二触发信号电位相反,第一信号和第二信号相位差为大于π,第二记忆信号保持高电平输出。
5.根据权利要求4所述的鉴频鉴相器电路,其特征在于,所述第二触发电路包括:
第二触发支路,若所述第一信号和第二信号相位差不大于π,适于根据第二信号、第二或非信号输出高电平信号,若所述第一信号和第二信号相位差大于π,其输出信号与第二信号的电位相反;
第二复位支路,其一端与第二触发支路的输出端相连,适于当第一输出信号与第二输出信号均为高电平时,将第二触发信号复位为低电平。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810318222.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





