[发明专利]鉴频鉴相器电路在审

专利信息
申请号: 201810318222.6 申请日: 2018-04-10
公开(公告)号: CN110365329A 公开(公告)日: 2019-10-22
发明(设计)人: 薛盘斗;冯光涛;张步新 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H03L7/091 分类号: H03L7/091
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 第二信号 支路 上升沿 输出信号 鉴相 输出信号保持 电路 鉴频鉴相器 输入单元 相位差 输出 低电平 高电平 捕获 盲区
【权利要求书】:

1.一种鉴频鉴相器电路,其特征在于,包括:

第一信号鉴相支路,用于根据第一信号输出第一输出信号,所述第一输出信号与第一信号的上升沿相关;

第二信号鉴相支路,用于根据第二信号输出第二输出信号,所述第二输出信号与第二信号的上升沿相关,所述第一信号相位优先于第二信号,相位差范围为[0,2π];

若第一信号和第二信号的相位差大于π,当第一信号的上升沿到来后,第一输出信号保持为高电平,当第二信号的上升沿到来后,第二输出信号保持为低电平;

若所述第一信号和所述第二信号的相位差不大于π,当第一信号和第二信号的上升沿到来时,所述第一输出信号和所述第二输出信号均跳转为高电平;

所述第一信号鉴相支路包括:

第一输入单元,包括第一或非门,所述第一或非门适于接收第二信号和第二记忆信号,向第一触发器输出第一或非信号,所述第二记忆信号为第二触发器所产生;

第一触发器,适于根据第一信号、第一或非信号、第一输出信号以及第二输出信号,输出第一记忆信号,所述第一记忆信号与第一输出信号相位相反;

第一反相器,用于将第一记忆信号反相,输出第一输出信号;

所述第二信号鉴相支路包括:

第二输入单元,包括第二或非门,所述第二或非门适于接收第一信号和第一记忆信号,向第二触发器输出第二或非信号,所述第一记忆信号为第一触发器所产生;

第二触发器,适于根据第二信号、第二或非信号、第一输出信号以及第二输出信号,输出第二记忆信号,所述第二记忆信号与第二输出信号相位相反;

第二反相器,用于将第二记忆信号反相,输出第二输出信号。

2.根据权利要求1所述的鉴频鉴相器电路,其特征在于,所述第一触发器包括:

第一触发电路,适于根据第一信号、第一或非信号、第一输出信号以及第二输出信号输出第一触发信号,所述第一触发信号在所述第一信号和第二信号相位差不大于π、且第一输出信号和第二输出信号均为高电平时为低电平,且在第一信号和第二信号相位差大于π时保持为高电平;

第一记忆电路,适于根据第一信号和第一触发信号输出第一记忆信号,若第一信号和第二信号相位差为不大于π,当第一信号为低电平时,所述第一记忆信号与第一触发信号电位一致,当第一信号为高电平时,所述第一记忆信号与第一触发信号电位相反,若第一信号和第二信号相位差为大于π,且在第一信号上升沿到来时,第一记忆信号跳变为低电平且保持。

3.根据权利要求2所述的鉴频鉴相器电路,其特征在于,所述第一触发电路包括:

第一触发支路,适于根据第一信号、第一或非信号输出高电平信号;

第一复位支路,其一端与第一触发支路的输出端相连,适于当第一输出信号与第二输出信号均为高电平时,将所述第一触发支路输出的高电平信号复位为低电平。

4.根据权利要求1所述的鉴频鉴相器电路,其特征在于,所述第二触发器包括:

第二触发电路,适于根据第二信号、第二或非信号、第一输出信号以及第二输出信号输出第二触发信号,所述第二触发信号在所述第一信号和第二信号相位差不大于π、且第一输出信号和第二输出信号均为高电平时为低电平,且在第一信号和第二信号相位差大于π时与第二信号电位相反;

第二记忆电路,适于根据第二信号和第二触发信号输出第二记忆信号,若第一信号和第二信号相位差为不大于π,当第二信号为低电平时,所述第二记忆信号与第二触发信号电位一致,当第二信号为高电平时,所述第二记忆信号与第二触发信号电位相反,第一信号和第二信号相位差为大于π,第二记忆信号保持高电平输出。

5.根据权利要求4所述的鉴频鉴相器电路,其特征在于,所述第二触发电路包括:

第二触发支路,若所述第一信号和第二信号相位差不大于π,适于根据第二信号、第二或非信号输出高电平信号,若所述第一信号和第二信号相位差大于π,其输出信号与第二信号的电位相反;

第二复位支路,其一端与第二触发支路的输出端相连,适于当第一输出信号与第二输出信号均为高电平时,将第二触发信号复位为低电平。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810318222.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top