[发明专利]窄边框高感测灵敏度的内嵌式有机发光二极管触控显示面板结构有效
申请号: | 201810305307.0 | 申请日: | 2018-04-04 |
公开(公告)号: | CN108735781B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 李祥宇;金上;林丙村;杜佳勋 | 申请(专利权)人: | 速博思股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06F3/041 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新北市汐止*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 边框 高感测 灵敏度 内嵌式 有机 发光二极管 显示 面板 结构 | ||
一种具有第一电极层及第二电极层的内嵌式有机发光二极管触控显示面板结构。第一电极层包括沿着第一方向配置的多个第一电极、多个隔离电极及多条第二电极连接线。第二电极层包括沿着第二方向配置的多个第二电极。每一第二电极经由对应的第二电极连接线而延伸至内嵌式有机发光二极管触控显示面板结构的边缘。第一电极层及第二电极层皆设置于共同电极层背向有机发光二极管层的一侧。
技术领域
本发明是涉及一种触控显示面板结构,特别涉及一种窄边框高感测灵敏度的内嵌式有机发光二极管触控显示面板结构。
背景技术
近年来,平面显示器产业已迅速发展,诸多产品追求轻量化、薄型化、小体积及细腻的影像质量,因此开发了多种平面显示器来取代传统的阴极射线管显示器(CRT)。平面显示器可分为液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)、有机发光二极管(OLED)显示器、场发射显示器(FED)及真空荧光显示器(VFD)等。
在这些平面显示器之中,有机发光二极管技术深具潜力。有机发光二极管显示器不仅具备液晶显示器的优点,包括薄型化、节省能量及全彩显示等,其也具有比液晶显示器更好的特性,如宽广可视角度、自发光及反应快速等。
时下消费性电子产品通常配备触控面板作为输入设备。随着智能手机的普及,多点触控技术越来越重要。目前,多点触控通常通过投射式电容触控技术(projectedcapacitive touch technique)来实现。
图1为一现有技术触控面板结构100的示意图。在该现有技术触控面板结构100中,感应导线110、120沿着第一方向(X轴方向)及第二方向(Y轴方向)配置。当执行触控感应时,感应导线120需接收来自一软性电路板(flexible circuit board)130上的触控控制电路131的触控信号,面板侧边需用大量连接线140连接至软性电路板130。此现有技术的设计将增加触控面板的边框宽度,并不符合窄边框的趋势。
因此,有需要提出一种改良的触控显示面板结构来减少和/或避免前述问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种窄边框高感测灵敏度的内嵌式有机发光二极管触控显示面板结构,其不仅显著地提升触控侦测的准确性,也大幅节省材料成本及制造成本,且其相较于现有技术更加适合于窄边框的设计。
根据本揭露的一观点,提供一种窄边框高感测灵敏度的内嵌式有机发光二极管触控显示面板结构,包含一薄膜晶体管(TFT)基板、一共同电极层、一发光二极管层、一封装层、一第一电极层及一第二电极层。薄膜晶体管层具有一表面,该表面上形成多个显示薄膜晶体管、多个显示像素电极、多条栅极线及多条数据线。发光二极管层设置于薄膜晶体管层及共同电极层之间。封装层设置于共同电极层背向发光二极管层的一侧。第一电极层包括沿着一第一方向配置的多个第一电极、多个隔离电极及多条第二电极连接线。第二电极层包括沿着一第二方线配置的多个第二电极。每一第二电极经由对应的一第二电极连接线而延伸至该内嵌式发光二极管触控显示面板结构的一边缘。第一电极层及第二电极层皆设置于共同电极层背向发光二极管层的一侧。
根据本揭露的另一观点,提供一种窄边框高感测灵敏度的内嵌式有机发光二极管触控显示面板结构,包含一薄膜晶体管基板、一共同电极层、一发光二极管层、一封装层、一第一电极层及一第二电极层。薄膜晶体管基板具有一表面,该表面上形成多个显示薄膜晶体管、多个显示像素电极、多条栅极线及多条数据线。发光二极管层设置于薄膜晶体管基板及共同电极层之间。封装层设置于共同电极层背向发光二极管层的一侧。第一电极层包括沿着一第一方向配置的多个第一网格电极、多个隔离电极及多条第二网格电极连接线。第二电极层包括沿着一第二方向配置的多个第二网格电极。每一第二网格电极经由对应的一第二网格电极连接线而延伸至该内嵌式发光二极管触控显示面板结构的一边缘。第一电极层及第二电极层皆设置于共同电极层背向发光二极管层的一侧。第一网格电极的网格线及第二网格电极的网格线彼此错开且不重叠。
附图说明
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的