[发明专利]保护电路在审
申请号: | 201810303713.3 | 申请日: | 2018-04-03 |
公开(公告)号: | CN109599392A | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 庄家硕;江奎儒 | 申请(专利权)人: | 原相科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 静电 电路 辅助电路 方式电性 导通 电源 电路寿命 电性连接 反接 漏极 源极 正接 | ||
1.一种保护电路,其特征在于,该保护电路包括:
一静电放电晶体管,其具有一源极、一栅极、以及一漏极;
一保护晶体管,其具有一栅极、一源极、以及一漏极,该漏极电性连接至该静电放晶体管的该栅极;
一电容,其具有一第一电极与一第二电极,该第一电极电性连接至该保护晶体管的该栅极,且该第二电极电性连接至该保护晶体管的该源极;以及
一第一电阻,其具有一第一电极,该第一电极电性连接至该保护晶体管的该漏极;
其中,一电源电性连接至该保护电路;
其中,该保护晶体管被设定来维持施加于该静电放晶体管的该栅极上的一电压,以确保当该电源供应一负电压给该保护晶体管时,该静电放晶体管在一关闭状态。
2.如权利要求1所述的保护电路,其特征在于,当该电源以正接方式电性连接至该保护电路时,该静电放晶体管以及该保护晶体管被关闭。
3.如权利要求1所述的保护电路,其特征在于,当该电源以反接方式电性连接至该保护电路时,该静电放晶体管被关闭,而该保护晶体管被导通。
4.如权利要求1所述的保护电路,其特征在于,该保护电路还进一步包括:
一第二电阻,其具有一第一电极与一第二电极,该第一电极电性连接至该电容,且该第二电极接收一接地电压。
5.如权利要求3所述的保护电路,其特征在于,该静电放晶体管在被关闭的前的一负静电放电应力期间被导通。
6.如权利要求1所述的保护电路,其特征在于,该保护电路还进一步包括:
一第三电阻,其具有一第一电极与一第二电极,该第一电极电性连接至该静电放晶体管的该栅极,且一第二电极接收一接地电压。
7.一种保护电路,其特征在于,该保护电路包括:
一静电放晶体管,其具有一源极、一栅极、以及一漏极;
一保护晶体管,其具有一栅极、一源极、以及一漏极,该漏极电性连接至该静电放晶体管的该栅极;
一电容,其具有一第一电极与一第二电极,该第一电极电性连接至该保护晶体管的该栅极,且该第二电极电性连接至该保护晶体管的该源极;
一第一电阻,其具有一第一电极,该第一电极电性连接至该保护晶体管的该漏极;以及
一第二电阻,其具有一第一电极,该第一电极电性连接至该电容;
其中,一电源电性连接至该保护电路;
其中,该保护晶体管被设定来维持施加于该静电放晶体管的该栅极上的一电压,以确保当该电源供应一负电压给该保护晶体管时,该静电放晶体管在一关闭状态。
8.如权利要求7所述的保护电路,其特征在于,当该电源以正接方式电性连接至该保护电路时,该静电放晶体管以及该保护晶体管被关闭。
9.如权利要求7所述的保护电路,其特征在于,当该电源以反接方式电性连接至该保护电路时,该静电放晶体管被关闭,而该保护晶体管被导通。
10.如权利要求9所述的保护电路,其特征在于,该静电放晶体管在被关闭的前的一负静电放电应力期间被导通。
11.如权利要求7所述的保护电路,其特征在于,该保护电路还进一步包括:
一第三电阻,其具有一第一电极与一第二电极,该第一电极电性连接至该静电放晶体管的该栅极,且一第二电极接收一接地电压。
12.一种保护电路,其特征在于,该保护电路包括:
一静电放晶体管,其具有一源极、一栅极、以及一漏极;以及
一辅助电路,其电性连接至该静电放晶体管;
其中,当一电源以正接方式电性连接至该保护电路时,该辅助电路以及该静电放晶体管被导通;
其中,当该电源以反接方式电性连接至该保护电路时,该辅助电路被导通以关闭该静电放晶体管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的