[发明专利]光取出结构、显示屏体及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201810292893.X | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN108511623B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 闫华杰;黄清雨;刘暾;战泓升 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王卫忠;袁礼君 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 取出 结构 显示屏 及其 制作方法 显示装置 | ||
本公开提供一种光取出结构、显示屏体及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。该光取出结构包括:防串扰层,具有由金属材料形成的连续的网格结构;反射层,覆盖在所述网格结构上。一方面,本公开通过反射层与像素单元形成微腔结构,可以提高光取出效率;另一方面,由于网格结构设置在像素单元的边缘,可以起到防串扰的作用,进一步避免像素间的光线串扰,从而提高显示屏体的清晰度和发光效率。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种光取出结构、显示屏体及其制作方法、显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)是一种利用有机半导体材料在电流的驱动下产生的可逆变色来实现显示的技术具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性。OLED器件主要包括沿远离基板方向依次设置的阳极、发光功能层以及阴极构成。根据发光方向的不同,OLED器件可分为底发光型(即相对于基板向下发光)和顶发光型(即相对于基板向上发光)两种类型。由于具有较大的开口率,目前OLED显示装置多采用顶发光型的OLED器件。
顶发光型OLED的阳极为ITO/Ag/ITO,具有良好的反射效果。由于磷光材料的应用,其内量子效率几乎达到了理论的极限值100%,但是其外量子效率却还不到20%,制约外量子效率进一步提高的主要因素是器件的光取出效率。为了提高OLED器件的光出射效率,通常在屏体内设计光取出结构。例如在屏体内部设置的散射层、微光栅或者在屏体外部设置的散射膜、透镜膜等,但是上述设计均会造成屏体表面的严重漫反射,无法在显示屏上应用且容易造成像素间光线串扰。
因此,现有技术中的技术方案还存在有待改进之处。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种光取出结构、显示屏体及其制作方法、显示装置,进而至少在一定程度上克服由于相关技术中像素间光线串扰的问题。
本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得清晰,或者部分地通过本公开的实践而习得。
根据本公开的一个方面,提供一种光取出结构,包括:
网格层,具有由金属材料形成的连续的网格结构;以及
反射层,覆盖在所述网格结构上。
在本公开的一种示例性实施例中,所述网格结构的截面的形状为梯形。
在本公开的一种示例性实施例中,所述网格结构中网格的间距为3um±5%,所述网格结构中网格的宽度为1um±5%。
在本公开的一种示例性实施例中,所述网格层的厚度为0.5um~1um。
在本公开的一种示例性实施例中,所述反射层覆盖在所述网格结构上的部分的厚度为20nm±5%。
根据本公开的第二方面,还提供一种显示屏体,包括:
衬底基板;
设置在所述衬底基板上的多个像素单元;以及
设置在所述多个像素单元上的光取出结构,所述光取出结构为以上所述的光取出结构。
在本公开的一种示例性实施例中,所述光取出结构中的网格结构位于所述像素单元的边缘,且所述网格结构中网格的间距小于相邻所述像素单元的间距。
在本公开的一种示例性实施例中,所述像素单元中包括顶发光型的有机发光器件。
根据本公开的第三方面,还提供一种显示装置,包括以上所述的显示屏体。
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