[发明专利]一种晶圆表面加工用的机床有效
| 申请号: | 201810292413.X | 申请日: | 2018-04-03 |
| 公开(公告)号: | CN108550535B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
| 发明(设计)人: | 韩赛 | 申请(专利权)人: | 游精学 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 350200 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 表面 工用 机床 | ||
1.一种晶圆表面加工用的机床,包括工件安装台和可拆式的安装于工件安装台上的载具(101),所述载具(101)上方设有磨盘(102),所述磨盘(102)安装于机床主动轴(103)上且随机床主动轴(103)转动,其特征在于:所述的磨盘(102)包括圆盘状的本体(13),所述本体(13)下端面的中心位置设有一安装槽,安装槽内设有子磨块(14),所述本体(13)的下端面上沿安装槽的周向均匀分布有多个供液槽(15),用于容置砂浆,所述供液槽(15)的槽内壁中位于本体(13)转动方向的相反方向所对应的内侧壁与本体(13)的下端面之间通过一圆弧面(16)过渡连接,所述的载具(101)包括基体(1),所述基体(1)的背面(1b)设有凹槽,所述凹槽内设有一堵头(2),所述堵头(2)的上端面和凹槽的内表面合围形成一密闭的储液腔(3),所述储液腔(3)内容置有磁流变液,所述基体(1)沿厚度方向背离背面(1b)的正面(1a)上均匀分布有若干出液孔(4),各出液孔(4)分别通过各自的支管(5)与储液腔(3)连通,当外力推动堵头(2)压缩储液腔(3)时所述储液腔(3)内的磁流变液依序经过支管(5)和出液孔(4)溢流至基体(1)的正面(1a)上,所述基体(1)上设有用于产生磁场的励磁装置(6),所述磁流变液响应励磁装置(6)的磁场变化,以使得所述磁流变液位于基体(1)正面(1a)上的部分固化形成片状层(7)或复位至流体状态;
所述本体(13)内对应于各供液槽(15)的位置均设有供液管路(17),所述供液管路(17)与供液槽(15)连通;
所述本体(13)的下端面上任意相邻两个供液槽(15)之间均设有一回流槽(18),所述本体(13)的下端面上设有环形的主回流通道(19),全部的回流槽(18)均沿径向延伸至与主回流通道(19)连通。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆表面加工用的机床,其特征在于:所述堵头(2)内设有插槽(2.1)、连接管(2.2)和泄压管(2.3),所述连接管(2.2)的上端与储液腔(3)连通,所述泄压管(2.3)的下端贯穿堵头(2)的下端面至与基体(1)外的空间连通,所述连接管(2.2)的下端与泄压管(2.3)的上端均与插槽(2.1)连通,所述插槽(2.1)内设有一阀片(8),所述阀片(8)沿插槽(2.1)的槽深方向移动以使得所述连接管(2.2)与泄压管(2.3)之间连通或断开。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆表面加工用的机床,其特征在于:所述连接管(2.2)的下端沿堵头(2)的长度方向与插槽(2.1)的槽底连通,所述泄压管(2.3)的上端沿水平方向与插槽(2.1)的侧壁靠近槽底所在位置连通。
4.根据权利要求3所述的一种晶圆表面加工用的机床,其特征在于:所述插槽(2.1)的槽底沿堵头(2)的长度方向朝上内切形成一环形凹槽(2.4)。
5.根据权利要求4所述的一种晶圆表面加工用的机床,其特征在于:所述堵头(2)的外侧壁上设有至少一个环形的密封槽,所述密封槽内设有密封圈(9),所述密封圈(9)与密封槽的内表面合围形成一环形空腔,所述堵头(2)内设有连接支管(2.5),所述环形空腔通过连接支管(2.5)与连接管(2.2)连通。
6.根据权利要求5所述的一种晶圆表面加工用的机床,其特征在于:所述堵头(2)背离储液腔(3)的下端面上设有一拉环(10),所述阀片(8)上设有与拉环(10)相配合的通孔(8.1),当阀片(8)的上端面与插槽(2.1)的槽底相抵靠时所述阀片(8)上通孔的轴线与拉环(10)的中轴线共线,所述阀片(8)位于插槽(2.1)外的部分沿水平方向外凸形成把手(8.2)。
7.根据权利要求1所述的一种晶圆表面加工用的机床,其特征在于:所述本体(13)的下端面上靠近本体(13)外缘所在的位置设有用于控制本体(13)的下端面与晶圆(11)上端面之间间隙的定位槽(20),所述本体(13)内设有用于供给定位槽(20)高压介质的管路。
8.根据权利要求1所述的一种晶圆表面加工用的机床,其特征在于:所述的子磨块(14)与安装槽滑动配合,所述子磨块(14)与安装槽的槽内壁之间合围形成一调节腔(21),所述本体(13)内设有与调节腔(21)连通的管路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





