[发明专利]温度控制装置

说明书

本发明提供了一种温度控制装置，包括：基座、位于所述基座内的水路和气路；所述基座的一承载面上具有多个孔洞，所述气路通过所述孔洞在所述承载面上形成气浮层；所述水路对所述气路进行热交换。在本发明提供的温度控制装置中，气路通过所述孔洞形成的气浮层，可以控制放置于基座承载面上的硅片的温度；水路可以对气路进行热交换，而且水路和气路位于同一个基座内，可以增加水路对气路的热交换的效率。

技术领域

本发明涉及光刻技术领域，尤其涉及一种温度控制装置。

背景技术

在光刻设备中，硅片传送系统不仅需要以较高的定心定向精度将硅片传送到光刻机内部，还要保持硅片的温度稳定，硅片在工艺处理时，其本体温度会受到影响，硅片的外形尺寸由于温度不稳定会产生变化，从而导致预对准精度下降，并且硅片形貌的不稳定在光刻机光刻时会严重影响良率。因此在硅片传送系统内引入硅片温度控制装置是必要的。

现有技术，在硅片传送时的温度控制装置包括气浮盘和水冷盘，气浮盘与水冷盘采用分体式连接，气浮盘里包括正压气道，通过气浮技术稳定硅片的温度，水冷盘里流通有冷却水，通过导热材料对气浮层的气体进行热交换。此装置有以下几个缺点：一是，此装置由于气浮层和水冷层分在两个盘体，水冷层对气浮层换热效率不高导致对硅片温度的控制效率不高且整个装置体积大结构复杂；二是，此控制装置表面的节气孔是均匀分布，而装置自身有部分材料去除造成的通孔，最终造成通孔附近的硅片的温度与其他地方的硅片的温度不一致。因此需要提供一种对硅片温度控制效率更高且使硅片温度更均匀的温度控制装置。

发明内容

本发明的目的在于提供一种温度控制的装置，提高硅片温度的控制效率。

为了达到上述目的，本发明提供了一种温度控制装置，所述温度控制装置包括：基座、位于所述基座内的水路和气路；所述基座的一承载面上具有多个孔洞，所述气路通过所述孔洞在所述承载面上形成气浮层；所述水路对所述气路进行热交换。

可选的，在所述的温度控制装置中，靠近所述通孔位置的孔洞的密度大于远离所述通孔位置的孔洞的密度。

可选的，在所述的温度控制装置中，所述气浮层的厚度为15微米到22微米。

可选的，在所述的温度控制装置中，所述水路存储有冷却水或冷冻水，所述冷却水或冷冻水对所述气路进行热交换。

可选的，在所述的温度控制装置中，所述气路包括多条子气路，多条所述子气路的入口分别设置在所述基座的外侧壁上。

可选的，在所述的温度控制装置中，所述水路包括多条子水路，所述子水路和所述子气路对应，多条所述子水路的入口分别设置在所述基座的外侧壁上。

可选的，在所述的温度控制装置中，所述温度装置还包括多个气密件，一条所述子气路通过一个所述气密件密封。

可选的，在所述的温度控制装置中，所述温度装置还包括多个水密件，一条所述子水路通过一个所述水密件密封。

可选的，在所述的温度控制装置中，所述温度控制装置还包括温度传感器，所述温度传感器分布于所述基座的承载面上，所述温度传感器用以感测放置在所述基座承载面上的硅片的温度。

可选的，在所述的温度控制装置中，所述基座呈圆盘形状，所述基座的厚度小于或等于30mm。

在本发明提供的温度控制装置中，气路通过所述孔洞形成的气浮层，可以控制放置于基座承载面上的硅片的温度；水路可以对气路进行热交换，而且水路和气路位于同一个基座内，既可以减小整个装置的体积，又可以增加水路对气路的热交换的效率。

附图说明

图1是本发明实施例一的温度控制装置的结构示意图；

图2是本发明实施例一的温度控制装置的横截面结构示意图；