[发明专利]显示装置及其阵列基板有效
申请号: | 201810270322.6 | 申请日: | 2018-03-29 |
公开(公告)号: | CN108538853B | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 韩约白 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 44304 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属线 扫描线 数据线 方向设置 像素单元 阵列基板 薄膜晶体管 触控电极 显示装置 像素电极 同一层 传输线 数据线交叉 数据线连接 触控信号 扫描线沿 阵列设置 直接设置 金属层 像素 | ||
本发明提供一种显示装置及其阵列基板,所述阵列基板包括呈阵列设置的多个像素单元,每一个像素单元包括像素电极、薄膜晶体管、触控电极、扫描线及数据线,扫描线沿第一方向设置,数据线沿第二方向设置,扫描线与数据线交叉,像素电极通过薄膜晶体管与扫描线、数据线连接,像素单元还包括沿第一方向设置的第一金属线和第二金属线,第一金属线与扫描线位于同一层,第二金属线与数据线位于同一层,在第一方向上的相邻两个第一金属线之间通过第二金属线连接,第一金属线通过第一过孔与第二金属线连接,第二金属线通过第二过孔与触控电极连接。本发明的阵列基板能够避免将触控信号的传输线直接设置在数据线所在的金属层上而限制像素的大小。
技术领域
本发明涉及显示装置技术领域,尤其涉及一种显示装置及其阵列基板。
背景技术
低温多晶硅面板借着其高分辨率、高迁移率、低功耗等诸多优点已成为了目前平板显示产品中的明星产品,被广泛应用在例如苹果、三星、华为、小米、魅族等各大手机及平板电脑上,由于低温多晶硅器件阵列工艺制程复杂,需要多次光罩(Mask),因此,在低温多晶硅制程中如果能够降低光罩使用次数将会有效的降低生产成本。在目前生产的In-CellTouch Panel工艺过程中,一般需要13次Mask,而为了节约成本,目前行业内通常使用M2传递触控信号,可实现9次Mask,但由于M2密度过大,将会造成开口率降低等问题。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供一种显示装置及其阵列基板,能够提升整个显示装置的开口率、降低功耗。
本发明提出的具体技术方案为:提供一种阵列基板,所述阵列基板包括呈阵列设置的多个像素单元,每一个所述像素单元包括像素电极、薄膜晶体管、触控电极、扫描线及数据线,所述扫描线沿第一方向设置,所述数据线沿第二方向设置,所述扫描线与所述数据线交叉,所述像素电极通过所述薄膜晶体管与所述扫描线、数据线连接,所述像素单元还包括沿第一方向设置的第一金属线和第二金属线,所述第一金属线与所述扫描线位于同一层,所述第二金属线与所述数据线位于同一层,在第一方向上的相邻两个所述第一金属线之间通过所述第二金属线连接,所述第一金属线通过第一过孔与所述第二金属线连接,所述第二金属线通过第二过孔与所述触控电极连接。
进一步地,所述数据线覆盖所述第一金属线位于第一方向上的部分。
进一步地,所述第一金属线包括沿第一方向延伸的垂直部以及由所述垂直部的两端朝向第二方向弯折延伸出的水平部,所述数据线覆盖所述垂直部,所述水平部通过第一过孔与所述第二金属线连接。
进一步地,所述水平部与所述扫描线平行。
进一步地,所述第二金属线与所述数据线平行。
进一步地,所述第二金属线与所述像素电极位于所述数据线的两侧。
进一步地,所述第二金属线位于所述阵列基板的显示区域内。
进一步地,所述薄膜晶体管为顶栅型。
进一步地,所述像素单元包括衬底、第一缓冲层、遮光层、第二缓冲层、多晶硅层、栅绝缘层、第一金属层、第一层间介质层、第二金属层、第二层间介质层、触控电极、第三层间介质层及像素电极,所述第一金属层用于形成所述扫描线和所述第一金属线,所述第二金属层用于形成所述数据线和所述第二金属线。
本发明还提供了一种显示装置,所述显示装置包括如上任一所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的