[发明专利]阵列基板、显示装置及其制备方法有效
申请号: | 201810264551.7 | 申请日: | 2018-03-28 |
公开(公告)号: | CN108415198B | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 赵艳艳;唐富强;徐敬义;王跃林;方业周 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1333;H05F1/00 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋;刘铁生 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 及其 制备 方法 | ||
1.一种阵列基板,包括:显示区、周边线路区;其特征在于,
所述周边线路区包括设置于衬底基板上的周边电路;
静电屏蔽层,所述静电屏蔽层设置于所述周边电路远离所述衬底基板的一侧;
所述静电屏蔽层包括:
在所述周边电路远离所述衬底基板一侧的第一导电层;
在所述第一导电层上的绝缘层;
位于所述绝缘层上的第二导电层,所述第二导电层包括连接部,所述连接部与所述第一导电层电连接;
其中,所述第一导电层和第二导电层之间包括静电屏蔽的封闭空间,至少部分绝缘层填充至所述封闭空间。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述绝缘层上设置有贯通至所述第一导电层的沟槽,所述连接部的至少部分位于所述沟槽内,与所述第一导电层电连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述第一导电层与所述显示区的显示电路的第一功能电极同层;和/或
所述第二导电层与所述显示区的显示电路的第二功能电极同层。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,
所述第二导电层与所述第二功能电极之间隔离,所述第二功能电极包括间隔分布的多个电极。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,
所述第一功能电极为像素电极,所述第二功能电极为公用电极;或
所述第一功能电极为公用电极,所述第二功能电极为像素电极。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
静电释放电路,所述静电释放电路与所述静电屏蔽层电连接。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,
所述静电释放电路包括间隔分布的第一静电释放点、第二静电释放点;
所述第一静电释放点、所述第二静电释放点、所述连接部在所述衬底基板上的正投影为闭合的环状。
8.一种显示装置,其特征在于,包括:上述权利要求1-7中任一所述的阵列基板。
9.一种阵列基板的制备方法,应用于上述权利要求1-7中任一所述的阵列基板,阵列基板包括显示区、周边线路区,其特征在于,包括:
在衬底基板周边线路区制备周边电路;
在所述周边电路远离所述衬底基板的一侧形成静电屏蔽层;
其中,在所述周边电路远离所述衬底基板的一侧形成静电屏蔽层,包括:
在所述周边电路远离所述衬底基板一侧形成第一导电层;
在所述第一导电层上形成绝缘层;
在所述绝缘层上形成第二导电层,所述第二导电层包括连接部,使所述连接部与所述第一导电层电连接;
其中,所述第一导电层和第二导电层之间包括静电屏蔽的封闭空间,至少部分绝缘层填充至所述封闭空间。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,
所述第一导电层与所述显示区的显示电路的第一功能电极同层;和/或所述第二导电层与所述显示区的显示电路的第二功能电极同层。
11.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,
在所述绝缘层上形成第二导电层,所述第二导电层包括连接部,使所述连接部与所述第一导电层电连接,包括:
在绝缘层上开设贯通至所述第一导电层的沟槽;
在开设沟槽的绝缘层上形成第二导电层,所述第二导电层的至少部分连接部形成于所述沟槽内,与所述第一导电层电连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810264551.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:主动识别型液晶显示装置及其制作方法
- 下一篇:液晶显示面板及液晶显示装置