[发明专利]一种无线充电应用复合隔磁片的制备工艺及复合隔磁片在审
申请号: | 201810231979.1 | 申请日: | 2018-03-20 |
公开(公告)号: | CN108306427A | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 郭庆文;吴长和;徐可心;熊明;马飞;胡会新;师海涛;唐晓婷 | 申请(专利权)人: | 蓝沛光线(上海)电子科技有限公司 |
主分类号: | H02J50/70 | 分类号: | H02J50/70;H05K9/00 |
代理公司: | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人: | 王新爱 |
地址: | 201500 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隔磁片 高分子基材 复合 屏蔽层 制备工艺 铜层 热处理 软磁材料 无线充电 石墨层 烘烤 带材 导热散热性能 表面沉积 表面形成 表面粘贴 充电效率 成粉体 电沉积 磁损 粉体 浆涂 绕制 温升 制浆 破碎 应用 | ||
1.一种无线充电应用复合隔磁片的制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、对绕制的软磁材料带材进行热处理;
步骤二、将热处理后的软磁材料带材破碎成粉体,并对所述粉体进行制浆;
步骤三、将所述浆涂覆在高分子基材的一个表面,以在所述高分子基材的表面形成一定厚度的屏蔽层,对具有屏蔽层的高分子基材进行烘烤;
步骤四、通过电沉积在烘烤后的屏蔽层表面沉积铜层,并在所述铜层的表面粘贴石墨层,得到复合隔磁片。
2.根据权利要求1所述的一种无线充电应用复合隔磁片的制备工艺,其特征在于,所述高分子基材的厚度为3μm~50μm,所述高分子基材为PET单面胶或者PI单面胶;所述屏蔽层的厚度为10μm~600μm。
3.根据权利要求1所述的一种无线充电应用复合隔磁片的制备工艺,其特征在于,所述步骤二中,使用球磨机将热处理后的软磁材料带材球磨破碎成粉体,并对所述粉体进行包裹处理,所述粉体的尺寸为100nm~80μm。
4.根据权利要求3所述的一种无线充电应用复合隔磁片的制备工艺,其特征在于,所述步骤二中,对所述粉体进行制浆为:
将包裹后的粉体与树脂粘接剂和功能性粉体混合成浆料,通过三辊机使所述浆料分散均匀,以得到固含量为65%~96%的浆。
5.根据权利要求4所述的一种无线充电应用复合隔磁片的制备工艺,其特征在于,所述树脂粘接剂包括环氧树脂、酚醛树脂、聚氨酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸中的一种或者一种以上,所述树脂粘接剂的固含量为20%~40%。
6.根据权利要求4所述的一种无线充电应用复合隔磁片的制备工艺,其特征在于,所述功能性粉体由金属氧化物和感光银粉混合而成,所述金属氧化物为三氧化二铁、四氧化三铁或者氧化锌。
7.根据权利要求1所述的一种无线充电应用复合隔磁片的制备工艺,其特征在于,所述步骤一中,热处理过程是将绕制的软磁材料带材放置在加磁场或者不加磁场的热处理炉内进行热处理,软磁材料带材为铁基非晶合金、铁基纳米晶合金、钴基非晶合金或者钴基纳米晶合金;
所述铁基非晶合金和钴基非晶合金热处理温度为380~520℃,保温30~120min;
所述铁基纳米晶合金和钴基纳米晶合金热处理温度为480~650℃,保温30~120min。
8.根据权利要求6所述的一种无线充电应用复合隔磁片的制备工艺,其特征在于,所述步骤三中,烘烤温度为90-120℃,保温40-60min。
9.根据权利要求1所述的一种无线充电应用复合隔磁片的制备工艺,其特征在于,所述步骤四中,铜层的厚度为2μm~3μm。
10.一种根据权利要求1~9任意一项所述的无线充电应用复合隔磁片的制备工艺制备的复合隔磁片,其特征在于,包括:
高分子基材;
屏蔽层,其使用涂布工艺或者印刷工艺涂覆在所述高分子基材的一个表面;
铜层,其使用电沉积工艺沉积在所述屏蔽层的外表面;
石墨层,其使用双面胶粘贴在所述铜层的外表面。
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