[发明专利]一种发光二极管的外延片及制作方法有效
| 申请号： | 201810229571.0 | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN108470803B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 王群;郭炳磊;魏晓骏;董彬忠;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 载流子 源层 外延片 金属氧化物导电层 发光二极管 金属导电层 衬底 电阻 未掺杂氮化镓层 电子阻挡层 横向扩展 依次层叠 缓冲层 均匀性 光电子 制作 发光 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型层、载流子改善层、有源层、电子阻挡层、P型层和P型接触层，所述载流子改善层为金属导电层，所述金属导电层采用单一金属或合金制成，所述单一金属包括Mg、Ca、Yb中的任意一种，所述合金包括Mg:Ag、Yb:Ag中的任意一种。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述载流子改善层的厚度为5～100nm。
3.一种发光二极管的外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次外延生长缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型层、载流子改善层、有源层、电子阻挡层、P型层和P型接触层，所述载流子改善层为金属导电层，所述金属导电层采用单一金属或合金制成，所述单一金属包括Mg、Ca、Yb中的任意一种，所述合金包括Mg:Ag、Yb:Ag中的任意一种。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述载流子改善层采用物理气相沉积法制作。
5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述载流子改善层的生长温度为400～800℃。
6.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述载流子改善层的生长压力为5～150mtorr。
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