[发明专利]读取电平跟踪和优化

说明书

描述了用于读取电平跟踪和优化的系统和方法。从闪速存储器器件的字线读取的页和从字线读取的原始页数据可以被缓冲在第一缓冲器组中。针对页中的每一个页的原始页数据可以被提供给解码器以用于解码并且针对页中的每一个页的解码的页数据可以被缓冲在第二缓冲器组中。可以基于原始页数据来标识针对字线的存储器单元的第一仓标识符并且可以基于解码的页数据来标识针对字线的存储器单元的第二仓标识符。可以基于第一仓标识符和第二仓标识符累加单元电平统计数值，并且可以基于针对页中的每一个页的的解码结果、和单元电平统计数值确定针对各个读取电平的梯度。可以基于所确定的梯度来在闪速存储器器件中配置针对读取电平的设置。

相关申请的交叉引用

本申请要求根据35U.S.C.§119(e)享有标题为“READ LEVEL TRACKING ANDOPTIMIZATION”并于2017年6月27日提交的美国临时申请第62/525,677号的权益，其并入这里作为参考。

技术领域

本发明涉及读取电平跟踪和优化。

背景技术

闪速存储器单元通过捕获浮置栅极上的电子来编程，其将存储器单元的阈值电压增加到与期望的编程电平相对应的电平。随后通过将读取电平电压应用于闪速存储器单元以确定闪速存储器单元被编程到其的各个编程电平来从闪速存储器单元读取数据。随着闪速存储器系统老化，不同编程电平内的闪速存储器单元的分布可能相对于用来读取闪速存储器单元的读取电平电压变宽和移位。这些对分布的改变可能读取错误率并且可能导致数据的丢失。

发明内容

根据本主题技术的方面，提供了一种用于读取电平跟踪和调节的方法。该方法包括从闪速存储器器件的字线读取多个页以及在第一缓冲器组中缓冲从字线读取的针对多个页中的每一个页的原始页数据。该方法还包括将针对多个页中的每一个页的原始页数据提供给解码器以用于解码并且在第二缓冲器组中缓冲来自解码器的针对多个页中的每一个页的解码的页数据。基于在第一缓冲器组中缓冲的原始页数据来标识针对字线的存储器单元的第一多个仓标识符，并且基于在第二缓冲器组中缓冲的解码的页数据来标识针对字线的存储器单元的第二多个仓标识符。基于第一多个仓标识符和第二多个仓标识符来累加单元电平统计数值，并且基于针对多个页的解码结果、和单元电平统计数值确定针对多个读取电平中的每一个读取电平的梯度。基于所确定的梯度来在闪速存储器器件中配置针对多个读取电平的设置。

根据本主题技术的方面，提供了一种被编码具有指令的处理器可读存储介质，当该指令被处理器运行时使得处理器执行方法。该方法包括从闪速存储器器件的字线读取多个页以及在第一缓冲器组中缓冲从字线读取的针对多个页中的每一个页的原始页数据。该方法还包括将针对多个页中的每一个页的原始页数据提供给解码器以用于解码并且在第二缓冲器组中缓冲来自解码器的针对多个页中的每一个页的解码的页数据。基于在第一缓冲器组中缓冲的原始页数据中的与各个存储器单元相对应的逻辑值来标识针对字线的存储器单元的第一多个仓标识符，并且基于在第二缓冲器组中缓冲的解码的页数据中的与各个存储器单元相对应的逻辑值来标识针对字线的存储器单元的第二多个仓标识符。基于第一多个仓标识符和第二多个仓标识符来累加单元电平统计数值，并且基于针对多个页的解码结果、和单元电平统计数值确定针对多个读取电平中的每一个的梯度。基于所确定的梯度来在闪速存储器器件中配置针对多个读取电平的设置。