[发明专利]掩模板、显示基板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号： | 201810224433.3 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN108396285B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 岳晗;王灿;张粲;杨明;玄明花;陈小川;丛宁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;H01L27/32;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;张博 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 模板 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种掩模板，其特征在于，包括：
半导体材料制成的掩模板本体，所述掩模板本体包括有多个第一开口；
位于所述掩模板本体上的磁性半导体材料层，所述磁性半导体材料层包括有多个第二开口，所述第二开口在所述掩模板本体上的正投影与所述第一开口重合，所述磁性半导体材料层是在与所述掩模板本体相同的半导体材料中掺杂磁性离子制成。
2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板本体包括：
第一半导体基底；
第二半导体基底；
位于所述第一半导体基底和第二半导体基底之间的键合层；
其中，所述第一半导体基底的厚度大于所述第二半导体基底的厚度。
3.根据权利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述第一半导体基底采用Si，所述第二半导体基底采用Si，所述键合层采用SiN或SiON；或
所述第一半导体基底采用GaAs，所述第二半导体基底采用GaAs，所述键合层采用SiN或SiON。
4.根据权利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述第一半导体基底的厚度为350-450um，所述第二半导体基底的厚度为40-60um。
5.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述磁性半导体材料层采用掺杂有Mn离子的半导体材料。
6.一种掩模板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一半导体材料制成的掩模板本体；
在掩模板本体上形成磁性半导体材料层，所述磁性半导体材料层是在与所述掩模板本体相同的半导体材料中掺杂磁性离子制成；
对所述掩模板本体和所述磁性半导体材料层进行干法刻蚀，在所述掩模板本体上形成多个第一开口，在所述磁性半导体材料层上形成多个第二开口，所述第二开口在所述掩模板本体上的正投影与所述第一开口重合。
7.根据权利要求6所述的掩模板的制作方法，其特征在于，所述提供一半导体材料制成的掩模板本体包括：
提供一第一半导体基底；
在所述第一半导体基底上制作键合层；
在所述键合层上制作第二半导体基底，所述第一半导体基底的厚度大于所述第二半导体基底的厚度。
8.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
将如权利要求1-5中任一项所述的掩模板与待蒸镀基板进行对位；
施加磁场，使得所述掩模板在磁场的作用下贴合在所述待蒸镀基板上；
蒸镀功能层材料，所述功能层材料通过所述第一开口和所述第二开口在所述待蒸镀基板上形成功能膜层。
9.一种显示基板，其特征在于，采用如权利要求8所述的制作方法制作得到。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示基板。
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