[发明专利]存储器系统及其操作方法有效
申请号: | 201810191736.X | 申请日: | 2018-03-08 |
公开(公告)号: | CN109273034B | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
发明(设计)人: | 金光秀 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G06F9/30 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;崔龙铉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 系统 及其 操作方法 | ||
本发明提供一种存储器系统及操作存储器系统的方法。操作存储器系统的方法可包括:接收第一编程命令,并执行对应于第一编程命令的操作;在执行对应于第一编程命令的操作的同时接收第二编程命令;将针对第二编程命令设置队列状态寄存器延迟第一等待时间;在经过第一等待时间之前接收第三读取命令;并且在针对第二编程命令设置队列状态寄存器之前,针对第三读取命令设置队列状态寄存器。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年7月18日提交的申请号为10-2017-0090916的韩国专利申请的优先权,其整体通过引用并入本文。
技术领域
本公开的各个实施例总体涉及一种存储器系统。特别地,实施例涉及一种通过延迟针对命令设置队列状态寄存器(QSR)而改善读取延迟的存储器系统及其操作方法。
背景技术
半导体存储器装置可被分为易失性半导体存储器装置和非易失性半导体存储器装置。易失性半导体存储器装置的优势在于可高速执行读取和写入,但其劣势在于当电力供应中断时会丢失所存储的信息。相反地,即使电力供应中断,非易失性半导体存储器装置也可保存存储在其中的信息。因此,非易失性半导体存储器装置被用于存储无论是否供电都需要被保存的信息。
非易失性半导体存储器装置的示例可包括掩模只读存储器(MROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)等。
非易失性半导体存储器装置的示例可包括闪速存储器装置。闪速存储器装置已被广泛地用作用于诸如计算机、移动电话、个人数字助理(PDA)、数码相机、便携式摄像机、录音机、MP3播放器、手持式个人计算机(PC)、游戏机、传真机、扫描仪和打印机的电子装置的音频和视频数据存储介质。
近来,随着对高集成度存储器装置的需求增加,多个位存储在单个存储器单元中的多位闪速存储器装置已经普及。
存储器装置可包括联接到单个字线的多个存储器单元,并且可执行将数据存储在存储器单元中的编程操作和擦除编程的数据的擦除操作。
发明内容
本公开的各个实施例涉及一种改善了读取延迟的存储器系统及其操作方法。
本公开的实施例可提供一种操作存储器系统的方法。方法可包括:接收第一编程命令,并执行对应于第一编程命令的操作;在执行对应于第一编程命令的操作的同时接收第二编程命令;将针对第二编程命令设置队列状态寄存器延迟第一等待时间;在经过第一等待时间之前接收第三读取命令;以及在针对第二编程命令设置队列状态寄存器之前,针对第三读取命令设置队列状态寄存器。
本公开的实施例可提供一种操作存储器系统的方法。方法可包括:在执行对应于第一编程命令的操作的同时接收第二编程命令;延迟针对第二编程命令设置队列状态寄存器,直到经过第一等待时间;在经过第一等待时间之前接收第三读取命令;在针对第二编程命令设置队列状态寄存器之前,针对第三读取命令设置队列状态寄存器;在对应于第一编程命令的操作完成之后,基于队列状态寄存器的设置状态开始对应于第三读取命令的操作;以及在开始对应于第三读取命令的操作之后,延迟针对第二编程命令设置队列状态寄存器,直到经过第二等待时间。
本公开的实施例可提供一种存储器系统。存储器系统可包括存储器装置和存储器控制器,其中存储器控制器被配置成当从主机接收到第一命令时,将针对第一命令设置队列状态寄存器延迟预定等待时间。
本公开的实施例可提供一种存储器系统的操作方法,该存储器系统包括被配置成根据排队命令的顺序执行操作的存储器装置。操作方法可包括:当提供编程操作时,使编程操作排队保持一段保持时间,同时控制存储器装置执行当前操作,并且当在保持时间期间提供读取操作时,将读取操作排队在编程操作之前。
附图说明
图1是示出根据本公开的实施例的存储器系统的示图。
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