[发明专利]衬底、分割衬底的方法及半导体器件

权利要求书

1.一种对衬底进行分割的方法，其特征在于，所述方法包括：

通过以下方式制备衬底：提供具有划片槽区及器件区的晶体半导体层；在所述晶体半导体层上形成介电层；形成与所述介电层实体接触的分隔结构，所述分隔结构设置在所述晶体半导体层的所述划片槽区上；以及在所述介电层上提供保护层，其中所述保护层由与所述介电层不同的材料形成；

在所述晶体半导体层中形成非晶区；以及

在形成所述非晶区之后，在所述晶体半导体层上执行研磨工艺，

其中所述非晶区形成在所述晶体半导体层的所述划片槽区中。

2.根据权利要求1所述的对衬底进行分割的方法，其特征在于，所述晶体半导体层的所述划片槽区包括：

第一区，当在平面图中观察时所述第一区与所述分隔结构交叠；以及

第二区，当在所述平面图中观察时所述第二区与所述分隔结构间隔开，所述第二区设置在所述第一区与所述器件区中的一者之间，

其中所述非晶区形成在所述划片槽区的所述第一区中。

3.根据权利要求2所述的对衬底进行分割的方法，其特征在于，所述划片槽区的所述第一区具有5μm到20μm的宽度。

4.根据权利要求1所述的对衬底进行分割的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述介电层中形成与所述保护层实体接触的所述分隔结构。

5.根据权利要求4所述的对衬底进行分割的方法，其特征在于，所述保护层具有比所述介电层的强度大的强度。

6.根据权利要求4所述的对衬底进行分割的方法，其特征在于，所述分隔结构延伸到所述保护层中。

7.根据权利要求1所述的对衬底进行分割的方法，其特征在于，还包括在所述介电层中形成沟槽，以及

使用所述分隔结构填充所述沟槽。

8.根据权利要求7所述的对衬底进行分割的方法，其特征在于，其中所述分隔结构连接到所述保护层且包含与所述保护层相同的材料。

9.根据权利要求1所述的对衬底进行分割的方法，其特征在于，所述分隔结构延伸到所述晶体半导体层中。

10.根据权利要求1所述的对衬底进行分割的方法，其特征在于，形成所述非晶区包括使用激光来照射所述晶体半导体层。

11.根据权利要求1所述的对衬底进行分割的方法，其特征在于，所述介电层包含低介电常数介电材料。

12.根据权利要求1所述的对衬底进行分割的方法，其特征在于，所述分隔结构包括在设置在所述器件区之间的所述划片槽区上设置的多个分隔结构。

13.一种半导体器件，其特征在于，包括：

晶体半导体衬底；

介电层，位于所述晶体半导体衬底上；

分隔结构，设置在所述介电层中，所述分隔结构具有与所述介电层不同的强度；以及

保护层，设置在所述介电层上且包含与所述介电层的材料不同的材料，

其中所述介电层暴露出所述分隔结构的外侧壁的至少一部分，

其中所述分隔结构的所述外侧壁与所述晶体半导体衬底的外侧壁未对准，且

其中所述保护层与所述分隔结构实体接触。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

非晶区，在所述晶体半导体衬底的侧壁处暴露出。

15.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述分隔结构设置在形成在所述介电层中的沟槽中。