[发明专利]半导体器件沟槽内场板埋层终端结构及制造方法

权利要求书

1.半导体器件的终端结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在半导体基板表面上形成选择注入掩膜；

以与所述半导体基板相反的导电类型进行杂质注入，形成杂质掺杂层；

从所述选择注入掩膜、所述杂质掺杂层向所述半导体基板内刻蚀，形成由多个半导体立柱区隔的多个沟槽，相邻两个所述沟槽之间由所述半导体立柱区隔，然后去掉剩余的选择注入掩膜，其中，所述多个沟槽中至少具有被构造来形成浮空掺杂扩散埋层的沟槽，以及用于消耗部分硅材料以减少杂质掺杂浓度的沟槽，以及用于所述半导体器件的终端隔离的沟槽；

进行扩散推结工艺，以在所述沟槽和所述半导体基板表面形成场氧化层以及所述浮空掺杂扩散埋层，所述浮空掺杂扩散埋层延伸至所述沟槽底部以下；

去掉位于有源区以及终端区的沟槽的外侧表面上的场氧化层，并后续进行薄层氧化；

在所述半导体基板表面和所述场氧化层表面淀积多晶硅，通过光刻工艺形成对应于沟槽的内场板；

在有源区进行与所述半导体基板相反导电性的杂质注入扩散，以形成位于有源区中的导电杂质区；

在已形成的表面之上形成氧化层，并随后去掉所述导电杂质区、位于终端区的内场板的表面的外侧的氧化层；

分别在有源区、终端区形成电极。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的终端结构的制备方法，其特征在于，所述浮空掺杂扩散埋层在所述沟槽底部以下的部分是部分联通，或全部联通，或全部间隔。