[发明专利]显示基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201810136043.0 | 申请日: | 2018-02-09 |
公开(公告)号: | CN108305890B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 王晓伟;张国庆 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括显示区和周边电路区,所述周边电路区环绕在所述显示区周围,所述显示基板还包括:
至少部分位于所述显示区内的阴极导电层;以及,
位于所述周边电路区内的阴极电压连接端和导电引线;
其中,所述导电引线包括:
环绕在所述显示区周围的第一环状部,所述第一环状部与所述阴极导电层接触连接;
环绕在所述第一环状部周围的第二环状部,所述第二环状部与所述阴极电压连接端连接;
多个桥接部,每个所述桥接部均具有连接所述第一环状部的第一端和连接所述第二环状部的第二端;所述多个桥接部中,桥接部的第二端到所述阴极电压连接端的电阻值与桥接部在第一端与第二端之间的电阻值负相关,负相关的两个数值在整体上的大小变化趋势相反。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述多个桥接部中,桥接部的第二端到所述阴极电压连接端的电阻值与桥接部在第一端到第二端的方向上的长度负相关;
和/或,
所述多个桥接部中,桥接部的第二端到所述阴极电压连接端的电阻值与桥接部在第一端到第二端的垂直方向上的长度正相关。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,部分所述阴极导电层位于所述周边电路区内,所述第一环状部在厚度方向上的一侧的表面与所述阴极导电层在厚度方向上的一侧的表面相接触。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二环状部与所述阴极电压连接端接触连接;或者,
所述导电引线还包括至少一个引线部,所述至少一个引线部将所述第二环状部连接至所述阴极电压连接端。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述导电引线的每个部分的形成材料均是相同的。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述导电引线的每个部分的形成材料均是相同的,所述导电引线的每个部分在所述显示基板上的厚度均是相同的。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括栅极导电层,至少部分的所述导电引线与所述栅极导电层通过同一次掩膜工艺形成;和/或,
所述显示基板还包括源漏导电层,至少部分的所述导电引线与所述源漏导电层通过同一次掩膜工艺形成。
8.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述多个桥接部均位于所述第一环状部与所述第二环状部之间。
9.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一环状部和/或第二环状部的形状为闭合的环形。
10.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述阴极导电层布满所述显示区。
11.一种显示基板的制造方法,其特征在于,所述显示基板包括显示区和周边电路区,所述周边电路区环绕在所述显示区周围,所述制造方法包括:
形成包括阴极电压连接端和导电引线的图形,所述阴极电压连接端和所述导电引线均位于所述周边电路区内;
形成阴极导电层,至少部分所述阴极导电层位于所述显示区内;
其中,所述导电引线包括:
环绕在所述显示区周围的第一环状部,所述第一环状部与所述阴极导电层接触连接;
环绕在所述第一环状部周围的第二环状部,所述第二环状部与所述阴极电压连接端连接;
多个桥接部,每个所述桥接部均具有连接所述第一环状部的第一端和与连接所述第二环状部的第二端;所述多个桥接部中,桥接部的第二端到所述阴极电压连接端的电阻值与桥接部在第一端与第二端之间的电阻值负相关,负相关的两个数值在整体上的大小变化趋势相反。
12.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1至10中任意一项所述的显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的