[发明专利]低色偏像素单元及其设计方法

说明书

本发明涉及一种低色偏像素单元及其设计方法。该低色偏像素单元包括至少一个具有第一区域和第二区域的子像素，所述第一区域包括第一晶体管，所述第二区域包括第二晶体管以及第三晶体管，且所述第一晶体管具有第一有源层，所述第二晶体管具有第二有源层，所述第三晶体管具有第三有源层，其中，所述第一有源层、所述第二有源层由至少两种半导体材料组成。本发明提供的低色偏像素单元，将多畴子像素的不同区域的TFT晶体管设计为迁移率不同的半导体材料，实现TFT晶体管充电电流比例要求，完成子像素不同区域像素电极的电压差，解决了液晶显示装置的色偏问题。

技术领域

本发明属于液晶显示技术领域，具体涉及一种低色偏像素单元及其设计方法。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示装置(Liquid Crystal Display，简称LCD)由于具有轻、薄及低辐射等优点，广泛地应用于各种终端产品中。常见的液晶显示装置可以应用于计算机、智能电话、手机、汽车导航装置、电子书等产品的显示屏中。

垂直配向(Vertical Alignment，VA)模式是一种具有高对比度、无须摩擦配向等优势的液晶显示面板经常采用的显示模式，但由于VA模式采用垂直转动的液晶，液晶分子双折射率的差异比较大，导致大视角下的色偏(color shift)问题比较严重。现有的液晶显示装置为了获得更好的广视角特性，改善色偏问题，通常会采取多畴(multi-domain)像素设计。在同一个子像素内主区的多畴与次区的多畴的液晶分子转动角度不一样，从而改善色偏。具体地，在一个子像素内设置三个薄膜晶体管(称为3T架构像素驱动电路)，除用于向主区像素电极充电的薄膜晶体管(TFT晶体管)、向次区像素电极充电的薄膜晶体管以外，次区内还设置一放电薄膜晶体管，用于将次区像素电极的部分电荷放电至阵列基板侧公共电极上，使得主区与次区的电压不同，显示亮度不同，达到降低色偏的目的。

次区像素电极充电薄膜晶体管以及放电薄膜晶体管的电流比例有一定的要求，通常通过调整薄膜晶体管的宽长比(W/L)来实现。但是，随着像素尺寸的不断缩小，放电薄膜晶体管的尺寸受到制造能力与制造缺陷的限制(尺寸越小，缺陷越大)，不能同步缩小，常见的限制约为W＝4um L＝4um，受到充电薄膜晶体管以及放电薄膜晶体管的比例限制，充电薄膜晶体管将无法缩小尺寸而影响开口率、数据线负载电容、扫描线负载电容，进而影响产品性能。因此，如何能在保持薄膜晶体管的宽长比的前提下，设计出新的低色偏像素的设计方式，成为亟待解决的问题。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种低色偏像素单元及其设计方法，能够在保持薄膜晶体管的宽长比的前提下改善像素的色偏问题。

本发明的一个实施例提供了一种低色偏像素单元，包括：

至少一个具有第一区域和第二区域的子像素，

所述第一区域包括第一晶体管，所述第二区域包括第二晶体管以及第三晶体管，且所述第一晶体管具有第一有源层，所述第二晶体管具有第二有源层，所述第三晶体管具有第三有源层，

其中，所述第一有源层、所述第二有源层由至少两种半导体材料组成。

在本发明的一个实施例中，所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管为TFT晶体管。

在本发明的一个实施例中，所述第一有源层半导体材料包括Poly-Si材料，所述第二有源层半导体材料包括Poly-Si材料，所述第三有源层半导体材料包括a-Si材料。

在本发明的一个实施例中，所述第一晶体管以及所述第二晶体管的迁移率为所述第三晶体管的迁移率的2～20倍。

本发明的另一个实施例提供了一种低色偏像素单元设计方法，应用于上述实施例的像素单元，包括：

利用Poly-Si材料分别形成所述第一晶体管的至少一部分第一有源层以及所述第二晶体管的至少一部分第二有源层；