[发明专利]低色偏像素单元及其设计方法

权利要求书

1.一种低色偏像素单元设计方法，其特征在于，该低色偏像素单元包括至少一个具有第一区域和第二区域的子像素，所述第一区域包括第一晶体管，所述第二区域包括第二晶体管以及第三晶体管，且所述第一晶体管具有第一有源层，所述第二晶体管具有第二有源层，所述第三晶体管具有第三有源层，其中，所述第一有源层、所述第二有源层由至少两种半导体材料组成，所述设计方法包括：

利用Poly-Si材料分别形成所述第一晶体管的至少一部分第一有源层以及所述第二晶体管的至少一部分第二有源层；

利用a-Si材料形成所述第三晶体管的第三有源层。

2.根据权利要求1所述的设计方法，其特征在于，利用Poly-Si材料分别形成所述第一晶体管的至少一部分第一有源层以及所述第二晶体管的至少一部分第二有源层，包括：

选取a-Si材料分别形成所述第一晶体管的初始第一有源层以及所述第二晶体管的初始第二有源层；

利用激光退火工艺对所述初始第一有源层以及所述初始第二有源层进行处理，将至少一部分所述a-Si材料转化为所述Poly-Si材料；

最终利用转化的所述Poly-Si材料分别形成所述第一晶体管的至少一部分第一有源层以及所述第二晶体管的至少一部分第二有源层。

3.根据权利要求2所述的设计方法，其特征在于，利用激光退火工艺对所述初始第一有源层以及所述初始第二有源层进行处理，包括：

产生预定波长的激光；

利用所述激光对所述初始有源层进行局部处理。

4.根据权利要求3所述的设计方法，其特征在于，产生预定波长的激光还包括：

通过聚焦透镜对所述激光进行聚光，其中，所述聚焦透镜的材料为石英玻璃。

5.根据权利要求4所述的设计方法，其特征在于，所述聚焦透镜的N/A值为0.1~1。

6.根据权利要求4所述的设计方法，其特征在于，所述激光的主波长为308nm、313nm、248nm或365nm，积光量为200~800mJ/cm²。