[发明专利]一种太阳能电池片轨道去除的方法有效
申请号: | 201810113201.0 | 申请日: | 2018-02-05 |
公开(公告)号: | CN108365051B | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 苏斌义;文熙;张红伟;赵丽;王玉;胡洁;崔海根;樊雷雷 | 申请(专利权)人: | 河北工业大学;天津英利新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/66 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300401 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 去除 太阳能电池片 阈值化 轨道 缺陷检测 原图像 正图像 主栅线 图像 转换成灰度图像 形态学运算 顶帽变换 工程实践 灰度图像 灰度转换 图像几何 旋转变换 有效地 对旋 运算 | ||
本发明提出了太阳能电池片轨道去除的方法,这种方法适用于太阳能电池片缺陷检测的现场。首先对原图像进行灰度转换,将原图像转换成灰度图像;再将灰度图像进行顶帽变换,将主栅线提取出来;再计算出主栅线与水平方向所成的角度,根据这个角度进行旋转变换,得到旋正图像;再对旋正图像阈值化,得到阈值化后的图像;再对阈值化后的图像进行图像几何运算以及形态学运算,从而得到轨道去除后的图像。本发明在工程实践中可以有效地去除轨道,可以去除轨道对缺陷检测的影响。
技术领域
本发明涉及光伏电池缺陷检测技术领域,主要涉及一种太阳能电池片轨道去除的方法。
背景技术
随着科学技术的不断发展,太阳能的应用越来越广。在新能源领域,我们通过光电转换的原理,将清洁的太阳能转换成电能,为我们提供源源不断的能源。目前,光伏行业发展迅速,年增长率在20%左右。这些生产出来的电池片首先就是要对其质量进行检测,电池片的质量影响着其使用的寿命、稳定性、以及光电转换效率,传统的人工分拣已经无法满足市场需求。
光伏电池片在层叠、层压、装框、清洗等生产过程中,会导致电池板内部出现各种类型的缺陷,这些缺陷严重影响了电池片的质量。机器视觉的技术已经广泛的应用到了缺陷检测的领域,但是这些技术针对的都是表面纹理分布比较均匀缺陷。在太阳能电池片领域,多晶硅的表面纹理特征复杂,而且部分缺陷容易受到晶格的影响。多晶硅缺陷检测一直就是机器视觉缺陷检测的难点。
目前在太阳能电池片缺陷检测领域,在处理崩边、栅线偏移、缺角等缺陷之前需要完全排除轨道的影响,防止崩边、缺角等缺陷在轨道处产生误检,因此,需要将轨道去除。
所述如何提供一种太阳能电池片轨道去除的方法,应用于电池片检测中,解决现有技术中存在的不足,是本领域技术人员要亟待解决的技术难题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种太阳能电池片轨道去除的方法。解决现有技术中的种种不足,具体方案如下:
一种太阳能电池片轨道去除的方法,该方法包括两个步骤单元:
第一步:图像预处理
1-1、灰度转化,将工业相机采集的电池片的RGB图像转化成灰度图像;
1-2、顶帽变换,在步骤1-1的基础上,将所述灰度图像进行顶帽变换,将所述灰度图像的栅线区域提取出来;
1-3、阈值分割,在步骤1-2的基础上,将所述栅线区域阈值化;
1-4、开运算,在步骤1-3的基础上,通过形态学运算开运算,采用先腐蚀后膨胀的方法,消除所述栅线区域的辅栅线,保留所述栅线区域的主栅线;
1-5、形成连通域,特征筛选,在步骤1-4的基础上,通过形成连通域和特征筛选,将所述主栅线筛选出来;
1-6、计算所述主栅线与水平方向所成的角度,在步骤1-5的基础上,通过计算每条主栅线与水平方向所成角度,再求所述每条主栅线的一阶原点矩,得到所述电池片相对于水平方向的偏移角;
1-7、图像旋转,在步骤1-6的基础上,根据所述偏移角的值,对图像进行旋转,从而得到旋正后的图像;
第二步:轨道去除
2-1、在步骤1-7的基础上,生成一个可以完全覆盖轨道的矩形区域;
2-2、灰度化、阈值化、填充,在步骤1-7的基础上,对所述旋正后的图像进行灰度化、阈值化、填充处理,从而得到填充后的旋正图像区域;
2-3、取交集,在步骤2-1、步骤2-2的基础上,取所述矩形区域与所述填充后的旋正图像区域的交集,得到交集区域;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北工业大学;天津英利新能源有限公司,未经河北工业大学;天津英利新能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810113201.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的