[发明专利]一种定位工艺缺陷的方法及装置有效

专利信息
申请号: 201810096181.0 申请日: 2018-01-31
公开(公告)号: CN108335990B 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 张利斌;韦亚一 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 党丽;王宝筠
地址: 100029 北京市朝阳*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 定位 工艺 缺陷 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种定位工艺缺陷的方法,其特征在于,包括:

获得晶圆的扫描电子显微图像,所述电子显微图像具有待测结构图案;

获得所述待测结构图案的边界范围;

获得所述边界范围的相关系数分布,所述相关系数为所述边界范围内各位置点处待测结构图案的像素分布与理想像素分布之间像素值的相关性数值;

确定可能相关系数阈值范围,并将所述相关系数分布中处于所述可能相关系数阈值范围之外的相关系数设置为背景色;

在所述相关系数阈值范围内确定边界相关系数阈值,将小于所述边界相关系数阈值的相关系数所在位置处进行标识,以突出显示缺陷所在位置。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述扫描电子显微图像在晶圆上形成待测结构之后进行,形成所述待测结构的工艺为光刻工艺、刻蚀工艺、侧墙沉积工艺、纳米压印工艺、极紫外工艺或定向自组装工艺。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述待测结构图案为线条结构、T型结构、拐角结构、线端结构或孔洞结构的图案。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获得所述待测结构图案的边界范围,包括:

获得所述待测结构图案的平均像素分布;

根据所述平均像素分布,获得所述待测结构图案的边界范围。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述待测结构图案为线形图案,所述根据所述平均像素分布,获得待测结构图案的边界范围,包括:

获得所述待测结构图案沿线条宽度方向的平均像素分布;

在所述平均像素分布中选择相邻的像素波谷点所在位置作为沿所述线条方向的边界线所在位置,相邻边界线之间构成边界范围。

6.一种定位工艺缺陷的装置,其特征在于,包括:

图像获取单元,用于获得晶圆的扫描电子显微图像,所述电子显微图像具有待测结构图案;

边界范围确定单元,用于获得所述待测结构图案的边界范围;

相关系数分布获取单元,用于获得所述边界范围的相关系数分布,所述相关系数为所述边界范围内各位置点处待测结构图案的像素分布与理想像素分布之间像素值的相关性数值;

缺陷确定单元,用于确定可能相关系数阈值范围,并将所述相关系数分布中处于所述可能相关系数阈值范围之外的相关系数设置为背景色;在所述相关系数阈值范围内确定边界相关系数阈值,将小于所述边界相关系数阈值的相关系数所在位置处进行标识,以突出显示缺陷所在位置。

7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述边界范围确定单元中,所述获得所述待测结构图案的边界范围,包括:

获得所述待测结构图案的平均像素分布;

根据所述平均像素分布,获得所述待测结构图案的边界范围。

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