[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

形成栅极结构、源漏掺杂层和介质层，栅极结构位于基底上，源漏掺杂层位于栅极结构两侧的基底中，介质层位于基底、源漏掺杂层和栅极结构上，所述源漏掺杂层中具有源漏离子；

在栅极结构两侧的介质层中形成暴露出源漏掺杂层表面的第一通孔，所述第一通孔暴露出源漏掺杂层的顶部，

在第一通孔底部的源漏掺杂层表面掺杂第一离子，第一离子的导电类型和源漏离子的导电类型相同；

掺杂第一离子后，对所述源漏掺杂层进行第一退火处理，在源漏掺杂层内的表面形成接触掺杂区；

第一退火处理后，在第一通孔底部的接触掺杂区内形成第二通孔，且所述第二通孔的深度小于所述接触掺杂区厚度；

在所述第一通孔和第二通孔内形成插塞。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述插塞的形成步骤包括：形成第二通孔后，在所述第一通孔内、第二通孔内和介质层上形成插塞材料层；形成插塞材料层后，平坦化所述插塞材料层，暴露出介质层顶部表面，在第一通孔和第二通孔内形成插塞。

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在第一通孔底部的源漏掺杂层表面掺杂第一离子的工艺包括离子注入工艺。

4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，当所述半导体器件的类型为P型器件时，所述第一离子的类型为P型离子，所述第一离子包括：硼离子、BF₂⁺离子或铟离子；当所述半导体器件的类型为N型器件时，所述第一离子的类型为N型离子，所述第一离子包括：包括磷离子、砷离子或锑离子。

5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一离子的类型为N型离子；所述离子注入工艺的参数包括：采用的离子为砷离子，注入能量为1KeV～15KeV，注入剂量为1.0E15atom/cm²～2.0E16atom/cm²；或者，所述离子注入工艺的参数包括：采用的离子为锑离子，注入能量为2KeV～30KeV，注入剂量为5.0E14atom/cm²～3.0E16atom/cm²。

6.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一离子的类型为P型离子；所述离子注入工艺的参数包括：采用的离子为硼离子，注入能量为0.5KeV～8KeV，注入剂量为8.0E14atom/cm²～3.0E16atom/cm²；或者，所述离子注入工艺的参数包括：采用的离子为BF₂⁺离子，注入能量为1KeV～10KeV，注入剂量为8.0E14atom/cm²～3.0E16atom/cm²。

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一退火处理包括激光退火或尖峰退火。

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在第一退火处理后，第二通孔形成前，对所述第一通孔底部的接触掺杂区进行第二离子注入，在接触掺杂区内的表面形成非晶掺杂区。

9.如权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二离子注入的掺杂离子为第二离子。

10.如权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述非晶掺杂区的厚度大于所述第二通孔的深度。

11.如权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述非晶掺杂区的厚度小于接触掺杂区的厚度。

12.如权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二离子包括锗离子。