[发明专利]半导体的光刻方法在审
| 申请号： | 201810093250.2 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN110095942A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 何小麟 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体基材 光致抗蚀剂层 光掩模 主曝光 光刻 半导体 涂布光致抗蚀剂 曝光光源 使用寿命 影响图案 预曝光 显影 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体的光刻方法，其特征在于，包括以下步骤：
在半导体基材上涂布光致抗蚀剂层；
在不使用光掩模下，对所述半导体基材进行预曝光；
使用光掩模对所述半导体基材上的所述光致抗蚀剂层进行主曝光；以及
对所述光致抗蚀剂层进行显影。
2.如权利要求1所述的半导体的光刻方法，其特征在于：在涂布所述光致抗蚀剂层之后、进行所述预曝光之前还包括：将所述半导体基材进行烘烤；以及对所述半导体基材的外围环状区域进行晶边曝光。
3.如权利要求1所述的半导体的光刻方法，其特征在于：使用KrF准分子激光对所述半导体基材进行所述预曝光，剂量为1.0-2.5mJ/cm2，波长为248nm。
4.如权利要求1所述的半导体的光刻方法，其特征在于：使用ArF准分子激光对所述光致抗蚀剂层进行主曝光。
5.如权利要求1所述的半导体的光刻方法，其特征在于：进行所述预曝光和所述主曝光使用的光源包括：紫外光、深紫外光、极端紫外光和/或电子束。
6.如权利要求1所述的半导体的光刻方法，其特征在于：在进行所述主曝光之后、进行所述显影之前还包括：将所述基材进行烘烤。
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