[发明专利]背照式图像传感器及其制备

权利要求书

1.一种背照式图像传感器，所述背照式图像传感器包括感光器部分和电路部分，其中所述感光器部分包括：

微透镜(190)和滤光片(170)，入射光子先通过所述微透镜(190)再穿过滤光片(170)进入到背照式图像传感器中；

透明导电膜(130)，所述透明导电膜位于微透镜(190)和滤光片(170)之下，并且入射光子继续通过所述透明导电膜(130)进入；以及

第一衬底(10)，所述第一衬底(10)位于透明导电膜(130)之下，并且用于捕捉和检测接收到的光子；

其特征在于：

在透明导电膜(130)与第一衬底(10)之间形成异质结。

2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述感光器部分还包括位于在透明导电膜(130)和第一衬底(10)中间的第一衬底(10)的第二表面(60)上的钝化层(210)。

3.根据权利要求2所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述钝化层(210)的厚度是0.5纳米至10纳米。

4.根据权利要求2所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述钝化层(210)的厚度是2纳米至3纳米。

5.根据权利要求2所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述钝化层(210)的厚度是10纳米至500纳米。

6.根据权利要求2所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述钝化层(210)的厚度是50纳米至100纳米。

7.根据权利要求2所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述钝化层(210)为导通层。

8.根据权利要求2所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述钝化层(210)能够由宽带隙材料、窄带隙材料、能带隙工程材料等形成。

9.根据权利要求2所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述钝化层(210)能够由晶体材料、非晶体材料、微结构材料、纳米结构材料等形成。

10.根据权利要求2所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述钝化层(210)能够由本征材料、复合材料、合金材料、掺杂材料等形成。

11.根据权利要求1或2所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述第一衬底(10)是轻度掺杂的N型硅衬底。

12.根据权利要求1或2所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述第一衬底(10)的厚度是2微米至200微米。

13.根据权利要求1或2所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述第一衬底(10)的厚度是20微米至80微米。

14.根据权利要求1或2所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述透明导电膜(130)能够用作防反层从而能够选择性地减少一种或多种具有预定波长的入射光子的反射。

15.根据权利要求1或2所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述透明导电膜(130)的组成包括氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、掺杂氧化锌(doped ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化锡(SnO₂)等。

16.根据权利要求1或2所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述透明导电膜(130)的厚度为10纳米至500纳米。

17.根据权利要求1或2所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述透明导电膜(130)的厚度为80纳米。