[发明专利]一种GaAs系多结太阳能电池及其制作方法

说明书

本申请提供一种GaAs系多结太阳能电池及其制作方法，所述制作方法在形成半蚀刻切割道时，采用电感耦合等离子体蚀刻工艺在太阳能电池外延片上形成半蚀刻切割道，由于利用感应耦合等离子干法蚀刻GaAs聚光太阳能电池切割道，从而能够减小切割道面积损失，进而提高太阳能电池的光电转换效率。另外，还可以过特定气体，等离子钝化切割道，形成钝化膜，进一步提高太阳能电池的光电转换效率。

技术领域

本发明涉及半导体器件制作技术领域，尤其涉及一种GaAs系多结太阳能电池及其制作方法。

背景技术

目前聚光型太阳能电池多采用GaAs材料系多结太阳能电池，其聚光倍数随材料性能与工艺技术的进步可达到500X乃至数千倍，而芯片尺寸比传统晶硅材料电池小很多，大大降低了半导体材料耗费。

而因芯片尺寸减小，切割道面积占芯片面积增加，电池边缘周长相比电池芯片面积比例大为提升，由此导致的切割道面积损失对光电转换效率影响较大。

目前工艺采用光刻开槽、采用金刚砂轮刀进行半刀切割，然后采用湿法腐蚀台阶工艺，以减小切割道的面积。

但现有技术采用砂轮刀进行切割的方法，由于切割道较宽导致工艺制程中GaAs圆片强度不够，破片率上升；湿法腐蚀过程中，表面光刻胶易软化开裂，导致电池正面损伤。因此，如何提供一种能够降低切割道宽度，且能够保持太阳能电池合格率的制作方法成为亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种GaAs系多结太阳能电池及其制作方法，以解决现有技术中切割道宽度较大，造成的太阳能电池面积损失较大的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种GaAs系多结太阳能电池制作方法，包括：

提供太阳能电池外延片，所述太阳能电池外延片包括相对设置的正面和背面；

在所述正面制作形成正面电极；

采用电感耦合等离子体蚀刻工艺在所述正面进行半蚀刻切割，得到半蚀刻切割道；

蒸镀减反射膜，覆盖所述正面；

在所述背面制作形成背面电极；

采用薄刀切割所述背面，切割位置与所述半蚀刻切割道对应，以贯穿所述太阳能电池外延片，形成分离的太阳能电池。

优选地，所述半蚀刻切割道的宽度为20μm-30μm，所述半蚀刻切割道的深度为10μm-20μm，均包括端点值。

优选地，在所述采用电感耦合等离子体蚀刻工艺在所述正面进行半蚀刻切割，得到半蚀刻切割道之后，在所述蒸镀减反射膜，覆盖所述正面之前，还包括：

采用射频等离子对所述半蚀刻切割道进行钝化。

优选地，所述采用射频等离子对所述半蚀刻切割道进行钝化，具体包括：

采用HBr、H₂S、HCL、SF₆、CFx、CHxFy、Ar、N₂中的一种或多种气体，其中，x、y为H、F原子数量，x+y＝4；通过射频放电电离形成等离子体，对所述半蚀刻切割道的侧面进行等离子钝化，形成钝化层。

本发明还提供另外一种GaAs系多结太阳能电池制作方法，包括：

提供太阳能电池外延片，所述太阳能电池外延片包括相对设置的正面和背面；

采用电感耦合等离子体蚀刻工艺在所述背面进行第一半蚀刻切割，得到第一半蚀刻切割道；

在所述背面制作形成背面电极；

将所述背面电极粘贴到临时基板上；