[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201810083053.2 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN108461419B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 长田直之;山口贵大;藤田惠理;岩﨑晃久;樋口鲇美;岩畑翔太 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
本发明涉及一种基板处理装置,具有:共用配管,向分支部引导处理液;供给配管,从分支部向药液喷嘴引导处理液;返回配管,沿着与供给配管不同的路径,从分支部引导处理液;喷出阀,变更从共用配管向分支部供给的处理液的流量。喷出阀使阀芯在包括喷出执行位置和喷出停止位置的多个位置静止,其中,所述喷出执行位置指,以大于吸引流量的最大值的流量,从共用配管向分支部供给处理液的位置,所述吸引流量表示,从分支部向返回配管侧流动的处理液的流量,所述喷出停止位置指,以吸引流量的最大值以下的流量,从共用配管向分支部供给处理液的位置。
技术领域
本发明涉及一种用于处理基板的基板处理装置。作为处理对象的基板,例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板,FED(Field Emission Display,场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在半导体装置、液晶显示装置等的制造工序中,利用用于处理半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板等基板的基板处理装置。
JP2009222189A公开了将基板逐张地处理的单张式的基板处理装置。该基板处理装置具有:旋转卡盘,一边将基板保持为水平,一边使该基板旋转;处理液供给装置,向保持于旋转卡盘的基板供给处理液。处理液供给装置包括:喷嘴,朝向基板喷出处理液;供给配管,向喷嘴供给处理液;阀,安装于供给配管。在供给配管流动的处理液,通过打开阀来供给至喷嘴。由此,从喷嘴喷出处理液,并供给至基板。就阀而言,通过使阀芯与阀座接触来关闭阀,通过使阀芯与阀座分离来打开阀。
通过开闭阀,来切换来自喷嘴的处理液的喷出执行以及喷出停止。但是,当开闭阀时,阀芯与阀座摩擦。因此,在阀内产生微小的颗粒。阀内的颗粒会与处理液一起从喷嘴喷出。因此,包含颗粒的处理液供给至基板,从而使基板的洁净度下降。
发明内容
本发明的一实施方式提供一种基板处理装置,具有:基板保持单元,保持基板;喷嘴,向保持于所述基板保持单元的基板喷出处理液;送液装置,输送用于向保持于所述基板保持单元的基板供给的处理液;共用配管,所述共用配管始终打开以便使处理液流动,引导所述送液装置所输送的处理液;分支部,与所述共用配管连接;供给配管,所述供给配管始终打开以便使处理液流动,将所述共用配管所引导的处理液从所述分支部向所述喷嘴引导;返回配管,所述返回配管始终打开以便使处理液流动,将所述共用配管所引导的处理液,从所述分支部沿着与所述供给配管不同的路径引导;吸引装置,从所述分支部向所述返回配管侧吸引处理液;以及,喷出阀,设置于所述共用配管,变更从所述共用配管向所述分支部供给的处理液的流量。
所述喷出阀包括:阀体,包括环状的阀座,该阀座包围处理液流动的内部流路;阀芯,配置于所述内部流路,能够相对于所述阀座移动;以及,阀促动器,使所述阀芯在包括喷出执行位置和喷出停止位置的多个位置静止,所述喷出执行位置指,所述阀芯与所述阀座分离,且以大于吸引流量的最大值的流量从所述共用配管向所述分支部供给处理液的位置,所述吸引流量表示,借助所述吸引装置的吸引力从所述分支部向所述返回配管侧流动的处理液的流量,所述喷出停止位置指,所述阀芯与所述阀座分离,且以所述吸引流量的最大值以下的流量从所述共用配管向所述分支部供给处理液的位置。
根据该结构,从共用配管向分支部引导应该供给至喷嘴的处理液。从分支部向供给配管供给的处理液从喷嘴喷出,并供给至基板。由此,处理基板。另一方面,从分支部向返回配管供给的处理液,被返回配管引导于回收机构或者排液机构。
借助吸引装置的吸引力,将从共用配管向分支部供给的处理液吸引于返回配管侧。从共用配管向分支部供给的处理液的流量,通过喷出阀进行变更。喷出阀通过使阀芯在喷出执行位置和喷出停止位置之间移动,来变更从共用配管向分支部供给的处理液的流量。由此,切换向供给配管供给处理液的供给状态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造