[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201810083053.2 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN108461419B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 长田直之;山口贵大;藤田惠理;岩﨑晃久;樋口鲇美;岩畑翔太 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其中,
具有:
基板保持单元,保持基板,
喷嘴,向保持于所述基板保持单元的基板喷出处理液,
送液装置,输送用于向保持于所述基板保持单元的基板供给的处理液,
共用配管,所述共用配管始终打开以便使处理液流动,引导所述送液装置所输送的处理液,
分支部,与所述共用配管连接,
供给配管,所述供给配管始终打开以便使处理液流动,将所述共用配管所引导的处理液从所述分支部向所述喷嘴引导,
返回配管,所述返回配管始终打开以便使处理液流动,将所述共用配管所引导的处理液,从所述分支部沿着与所述供给配管不同的路径引导,
吸引装置,从所述分支部向所述返回配管侧吸引处理液,以及,
喷出阀,设置于所述共用配管,变更从所述共用配管向所述分支部供给的处理液的流量;
所述喷出阀能够在喷出执行状态和喷出停止状态之间切换,在所述喷出执行状态下,通过变更所述喷出阀的开度,以比所述吸引装置吸引的处理液的流量的最大值大的流量将处理液供给到所述分支部,处理液被供给到所述供给配管和所述返回配管,并从所述喷嘴喷出;在所述喷出停止状态下,以比所述吸引装置吸引的处理液的流量的最大值小的流量将处理液供给到所述分支部,处理液不向所述供给配管供给而只向所述返回配管供给,不从所述喷嘴喷出,
所述吸引装置在所述喷出阀处于所述喷出执行状态的期间,从所述分支部向所述返回配管侧吸引处理液。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述供给配管包括从所述分支部向上方延伸的上升部,
所述返回配管包括从所述分支部向下方延伸的下降部。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还具有:腔室,容纳所述基板保持单元,以及,流体箱,配置于所述腔室的侧方,
所述分支部配置于所述腔室或者流体箱内。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,
还具有温度调节器,所述温度调节器执行加热以及冷却中的至少一种处理,在所述供给配管的上游变更向所述喷嘴供给的处理液的温度。
5.一种基板处理装置,其中,
具有:
基板保持单元,保持基板,
喷嘴,向保持于所述基板保持单元的基板喷出处理液,
送液装置,输送用于向保持于所述基板保持单元的基板供给的处理液,
共用配管,所述共用配管始终打开以便使处理液流动,引导所述送液装置所输送的处理液,
分支部,与所述共用配管连接,
供给配管,所述供给配管始终打开以便使处理液流动,将所述共用配管所引导的处理液从所述分支部向所述喷嘴引导,
返回配管,所述返回配管始终打开以便使处理液流动,将所述共用配管所引导的处理液,从所述分支部沿着与所述供给配管不同的路径引导,
吸引装置,从所述分支部向所述返回配管侧吸引处理液,
喷出阀,设置于所述共用配管,变更从所述共用配管向所述分支部供给的处理液的流量,以及
节流装置,所述节流装置通过减小所述返回配管的流路面积,来使所述返回配管中的压力损失增加;
所述喷出阀包括:
阀体,包括环状的阀座,该阀座包围处理液流动的内部流路,
阀芯,配置于所述内部流路,能够相对于所述阀座移动,以及,
阀促动器,使所述阀芯在包括喷出执行位置和喷出停止位置的多个位置静止,所述喷出执行位置指,所述阀芯与所述阀座分离,且以大于吸引流量的最大值的流量从所述共用配管向所述分支部供给处理液的位置,所述吸引流量表示,借助所述吸引装置的吸引力从所述分支部向所述返回配管侧流动的处理液的流量,所述喷出停止位置指,所述阀芯与所述阀座分离,且以所述吸引流量的最大值以下的流量从所述共用配管向所述分支部供给处理液的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造