[发明专利]三维纵向一次编程存储器在审
| 申请号： | 201810075105.1 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN110085588A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 厦门海存艾匹科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361021 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 一次编程存储器 水平地址 三维 反熔丝膜 覆盖存储 地址线 电耦合 读周期 一字线 边墙 堆叠 多层 井中 竖直 读出 穿透 | ||
1.一种三维纵向一次编程存储器（3D-OTPV），其特征还在于含有：
一含有一衬底电路(0K)的半导体衬底(0)；
多层处于该衬底电路(0K)之上并垂直堆叠的水平地址线(8a-8h)；
多个穿透所述多层水平地址线(8a-8h)的存储井(2a)；
一层覆盖该存储井(2a)边墙的反熔丝膜(6a)；
多条位于存储井(2a)中的竖直地址线(4a)；
多个形成在该水平地址线(8a-8h) 与该竖直地址线(4a)交叉处的OTP存储元(1aa-1ha)；
在一个读周期(T)中，与一水平地址线电耦合的所有OTP存储元(1aa-1ah)存储的信息被读出，所述水平地址线为一字线。
2.一种三维纵向一次编程存储器（3D-OTPV），其特征还在于含有：
一含有一衬底电路(0K)的半导体衬底(0)；
多层处于该衬底电路(0K)之上并垂直堆叠的水平地址线(8a-8h)；
多个穿透所述多层水平地址线(8a-8h)的存储井(2a)；
一层覆盖该存储井(2a)边墙的反熔丝膜(6a)；
多条位于存储井(2a)中的竖直地址线(4a)；
多个形成在该水平地址线(8a-8h) 与该竖直地址线(4a)交叉处的OTP存储元(1aa-1ha)；
在一个读周期(T)中，与一竖直地址线电耦合的所有OTP存储元(1aa-1ah)存储的信息被读出，所述竖直地址线为一字线。
3.根据权利要求1和2所述的存储器，其特征还在于：所述读周期含有一预充电阶段，在所述预充电阶段，与所述字线电耦合的所有位线被预充电到同一预设电压。
4.根据权利要求1和2所述的存储器，其特征还在于：所述读周期含有一读阶段，在所述读阶段，与所述字线电耦合的所有位线的电压变化的值远小于读电压。
5.根据权利要求1和2所述的存储器，其特征还在于：所述存储井(2a)不含有单独的准导通膜。
6.根据权利要求1和2所述的存储器，其特征还在于：所述存储井(2a)含有一准导通膜(16a)。
7.根据权利要求1和2所述的存储器，其特征还在于：该水平地址线(8a-8h)含有一金属材料，该竖直地址线(4a)含有一掺杂的半导体材料。
8.根据权利要求1和2所述的存储器，其特征还在于：该水平地址线(8a-8h)含有一掺杂的半导体材料，该竖直地址线(4a)含有至少一反向掺杂的半导体材料。
9.根据权利要求1和2所述的存储器，其特征还在于：所述存储井(2a)中的存储元(1aa-1ha)构成一竖直存储串(1A)，所述竖直存储串(1A)与一纵向晶体管(7a)电耦合。
10.根据权利要求1和2所述的存储器，其特征还在于：每个所述存储元具有N（N>2）种状态(11b-11d)，不同状态下的反熔丝膜具有不同电阻。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
