[发明专利]具有单元沟槽结构和接触点的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管，包括：

第一单元沟槽结构，从第一表面延伸到半导体部分中，并且包括第一埋置电极和在所述第一埋置电极与所述半导体部分之间的第一绝缘体层；

第二单元沟槽结构，从所述第一表面延伸到所述半导体部分中，并且包括与所述半导体部分介电绝缘的第二埋置电极；

第一半导体台面，将所述第一单元沟槽结构与所述第二单元沟槽结构分开，并且包括源区和体区，其中所述源区从所述第一单元沟槽结构延伸到所述第二单元沟槽结构，并且其中所述体区在与所述第一表面相距第一距离处与所述源区形成第一pn结并且包括沿着所述第一半导体台面的侧壁部分的接触区；

第二半导体台面，将所述第一单元沟槽结构彼此分开；以及

第一接触结构，包括所述第一半导体台面与所述第一埋置电极之间的第二部分，所述第二部分与所述接触区直接邻接并且与所述第二半导体台面分开。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，进一步包括：

所述体区的导电类型的集电极层，

其中所述集电极层沿着与所述第一表面相对的第二表面而形成在所述半导体部分中。

3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，进一步包括：

集电极层，包括第一导电类型的第一部分和互补的第二导电类型的第二部分，其中所述集电极层的所述第一部分和所述第二部分沿着与所述第一表面相对的第二表面而形成在所述半导体部分中。

4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其中所述源区沿着所述第一表面延伸。

5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其中所述第一接触结构包括在包覆层的开口中的第一部分，其中所述包覆层在所述半导体部分与电极结构之间，并且其中所述第一接触结构的所述第一部分直接邻接所述第一接触结构的所述第二部分。

6.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其中所述第二部分直接连接所述接触区和所述第一埋置电极。

7.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其中所述第一接触结构的所述第二部分的第一侧壁直接邻接所述第一半导体台面，并且所述第一接触结构的所述第二部分的第二侧壁直接邻接所述第一埋置电极，并且所述第一侧壁和所述第二侧壁是直的。

8.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其中所述第一接触结构的所述第二部分的第一侧壁直接邻接所述第一半导体台面，并且所述第一接触结构的所述第二部分的第二侧壁直接邻接所述第一埋置电极，并且所述第一侧壁和所述第二侧壁是垂直的。

9.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其中所述第一接触结构的所述第二部分的第一侧壁直接邻接所述第一半导体台面，并且其中所述第一接触结构的所述第二部分的第二侧壁直接邻接所述第一埋置电极，并且至少所述第二侧壁以小于90度的角度向所述第一表面倾斜。

10.根据权利要求9所述的绝缘栅双极型晶体管，其中所述第一侧壁和所述第二侧壁随着与所述第一表面的距离的增加而逐渐变细，并且所述第二侧壁比所述第一接触结构的所述第二部分的所述第一侧壁从所述第一表面的法线向更高的角度偏离。

11.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，进一步包括：第二接触结构，每一个第二接触结构形成在包覆层的开口中并且直接邻接在两个所述第二半导体台面之间的所述第一埋置电极之一。

12.根据权利要求11所述的绝缘栅双极型晶体管，其中所述第二接触结构在所述第一埋置电极之上终止。

13.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其中所述第一绝缘体层具有均匀的宽度。