[发明专利]发光元件有效

申请号：	201810058016.6	申请日：	2018-01-22
公开（公告）号：	CN108365068B	公开（公告）日：	2022-01-04
发明（设计）人：	陈昭兴;王佳琨;庄文宏;曾咨耀;吕政霖	申请（专利权）人：	晶元光电股份有限公司
主分类号：	H01L33/14	分类号：	H01L33/14;H01L33/60;H01L33/62
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	陈小雯
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	发光元件
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【说明书】：

本发明公开一种发光元件，包含一半导体结构，其包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间；一环绕部位于半导体结构上及/或环绕半导体结构以露出第一半导体层的一表面；一第一绝缘结构位于半导体结构上，包含多个凸出部以覆盖第一半导体层的表面的一部分及多个凹陷部以露出第一半导体层的表面的其它部分；一第一接触部分形成于环绕部上，并通过多个凹陷部以接触第一半导体层的表面的其它部分；一第一焊垫形成在半导体结构上；以及一第二焊垫形成在半导体结构上。

技术领域

本发明涉及一种发光元件的一结构，且特别是涉及一种包含一半导体结构及一焊垫位于半导体结构上的发光元件。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)为固态半导体发光元件，其优点为功耗低，产生的热能低，工作寿命长，防震，体积小，反应速度快和具有良好的光电特性，例如稳定的发光波长。因此发光二极管被广泛应用于家用电器，设备指示灯，及光电产品等。

发明内容

一种发光元件包含一半导体结构，其包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间；一环绕部位于半导体结构上及/或环绕半导体结构以露出第一半导体层的一表面；一第一绝缘结构位于半导体结构上，包含多个凸出部以覆盖第一半导体层的表面的一部分及多个凹陷部以露出第一半导体层的表面的其它部分；一第一接触部分形成在环绕部上，并通过多个凹陷部以接触第一半导体层的表面的其它部分；一第一焊垫形成在半导体结构上；以及一第二焊垫形成在半导体结构上。

附图说明

图1为本发明一实施例中所揭示的一发光元件2的上视图；

图2为沿着图1的线B-B’所揭示的发光元件2的剖视图；

图3为沿着图1的线C-C’所揭示的发光元件2的剖视图；

图4为图1所揭示的发光元件2的各层上视图；

图5为本发明一实施例中所揭示的发光元件2的烧毁区域的上视图；

图6为传统发光元件3的烧毁区域的上视图；

图7为一突波(surge)于过度电性应力(Electrical Over Stress,EOS)测试下的电压波型图；

图8为突波(surge)的最大施加电压对可导通的正向电压(forward voltage,Vf)的一图表；

图9为突波(surge)的最大施加电压对反向电流(reverse current,Ir)的一图表；

图10为本发明一实施例的发光装置30的示意图；

图11为本发明一实施例的发光装置4的示意图。