[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，其特征在于，包含：

半导体结构，包含第一半导体层，第二半导体层，及活性层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间；

环绕部，包含未被该第二半导体层及该活性层覆盖的该第一半导体层的一表面，位于该半导体结构的外围，且环绕该半导体结构；

第一绝缘结构，位于该半导体结构上，在该发光元件的一上视图中，包含多个凸出部延伸自该第二半导体层的上表面以覆盖该第一半导体层的该表面的多个部分及多个凹陷部以露出该第一半导体层的该表面的其它部分，且两个该凸出部之间的一区域构成各该多个凹陷部；

第一接触部分，形成于该环绕部上，并通过该多个凹陷部以接触该第一半导体层的该表面的该其它部分，其中该第一接触部分形成在该多个凸出部和该多个凹陷部上，沿着该第一绝缘结构的外围具有凹凸上表面；

第一焊垫，形成在该半导体结构上；以及

第二焊垫，形成在该半导体结构上。

2.如权利要求1所述的发光元件，还包含第二接触部分，其中于该发光元件的上视图下，该第二接触部分形成于该半导体结构的一几何中心上，其中该第二接触部分与该第一半导体层及该第二半导体层电性绝缘。

3.如权利要求1所述的发光元件，还包含第三接触部分电连接至该第二半导体层，形成于该半导体结构上，其中于该发光元件的上视图下，该第三接触部分被该第一接触部分所环绕。

4.如权利要求3所述的发光元件，还包含第二接触部分，其中于该发光元件的上视图下，该第二接触部分形成于该半导体结构的一几何中心上，其中该第二接触部分与该第三接触部分相连接。

5.如权利要求1所述的发光元件，还包含一个或多个通孔，穿过该第二半导体层和该活性层以露出该第一半导体层。

6.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一绝缘结构覆盖该第一半导体层的该表面的多个角落。

7.如权利要求6所述的发光元件，其中该多个凸出部自该第二半导体层上延伸并覆盖该第一半导体层的该多个角落。

8.如权利要求1所述的发光元件，其中在该发光元件的上视图中，该多个凸出部及该多个凹陷部为交替配置且位于该半导体结构的该外围。

9.如权利要求1所述的发光元件，还包含基板，其中该基板的裸露面包含一图案化表面。

10.如权利要求1所述的发光元件其中位于该环绕部的该第一半导体层的该表面是不连续的露出。

11.如权利要求1所述的发光元件，其中该多个凸出部覆盖该半导体结构的多个侧壁。

12.如权利要求11所述的发光元件，其中该多个凹陷部位于该半导体结构的多个边上。

13.如权利要求1所述的发光元件，还包含第二绝缘结构，位于该环绕部上，并覆盖该第一绝缘结构，其中该第二绝缘结构包含一形状对应于该第一绝缘结构的一形状。

14.如权利要求1所述的发光元件，还包含第三绝缘结构，位于该半导体结构上，其中该第三绝缘结构包含第一开口及第二开口，且该第一焊垫位于该第一开口及该第二焊垫位于该第二开口。

15.如权利要求1所述的发光元件，其中在该发光元件的上视图中，该多个凸出部或该多个凹陷部之一的形状包含三角形、矩形、半圆形、圆形或多边形。

16.如权利要求13所述的发光元件，其中该第二绝缘结构包含布拉格反射镜(DBR)。