[发明专利]掩膜板的后处理方法及掩膜板

说明书

本发明涉及一种掩膜板的后处理方法及掩膜板。掩膜板的后处理方法包括如下步骤：提供掩膜板，掩膜板的表面具有凸部；以及对至少部分凸部进行电解处理。本发明掩膜板的后处理方法能够有效去除或减薄位于掩膜板表面多余的凸起部分。本发明的掩膜板是采用上述的掩膜板的后处理方法制作处理得到，而通过减少位于掩膜板上开口的侧壁面上的凸部的至少部分，能够减少对蒸镀源的遮挡，能够增加蒸镀有效区域，有利于减少设计余量，增加开口率，有利于高PPI产品应用。此外，还可以减少毛刺和边角影响效应。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种掩膜板的后处理方法及掩膜板。

背景技术

平板显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平板显示器件主要包括有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic lightemitting diode，AMOLED)及有机电致发光显示器件(Organic Light Emitting Display，OLED)。平板显示器件的制作涉及到在基底上形成薄膜图案的过程，即利用具有图案的蒸镀掩膜板掩膜，并通过真空蒸镀方式在待蒸镀基板上形成所需要的图案。

传统的掩膜板的制作采用双面刻蚀工艺，请参见图1，制作得到的掩膜板100'中形成有若干个开口，而每个开口均是通过对掩膜板的两面同时刻蚀至一定深度后贯穿形成，这就使得每个开口的侧壁上都保留有双面刻蚀的痕迹，即位于两面的刻蚀痕迹交叠处的刻蚀凸部。蒸镀时，将掩膜板100'与基板200'贴合，之后按照图1中箭头的方向(线源的蒸镀方向)进行蒸镀。由于掩膜板100'存在刻蚀凸部(图1中圆圈位置)，蒸镀时会对蒸镀源造成遮挡。当先自左至右蒸镀一次，之后再自右至左蒸镀一次之后，第一区域110'能够被交叠蒸镀，为理想膜厚区域，故为蒸镀有效区域。然而，由于刻蚀凸部的遮挡，第二区域120'只能蒸镀一次，为非理想膜厚区域，不利于应用。

发明内容

本发明的目的是针对于现有技术的不足，提供一种掩膜板的后处理方法及掩膜板，以减少或去除掩膜板表面多余的凸起部分。

为此，在本发明中提供了一种掩膜板的后处理方法，该方法包括如下步骤：提供掩膜板，所述掩膜板的表面具有凸部；以及对至少部分所述凸部进行电解处理。

在其中一个实施例中，所述方法还包括以下步骤：在对至少部分所述凸部进行电解处理之前，在所述掩膜板上形成保护层，所述保护层露出至少部分所述凸部；以及在对至少部分所述凸部进行电解处理之后，去除所述保护层。

在其中一个实施例中，在所述掩膜板上形成保护层的步骤为：在所述掩膜板的表面上形成光刻胶层；以及对所述凸部表面的光刻胶层进行曝光显影，以露出至少部分所述凸部，以形成保护层。

在其中一个实施例中，所述掩膜板上形成有若干开口，所述凸部位于所述开口的侧壁面上；

在其中一个实施例中，所述开口的侧壁面上形成有第一凸部和第二凸部，所述第一凸部靠近所述掩膜板的蒸镀面，所述第二凸部远离所述掩膜板的蒸镀面。

在其中一个实施例中，所述凸部为形成在所述掩膜板外周侧壁面上的毛刺。

在其中一个实施例中，电解处理时采用的电解液的有效成分包括：

第一组分，所述第一组分选自NaOH、KOH和LiOH中的至少一种；

第二组分，所述第二组分选自碱金属的碳酸盐、碱金属的氯化物、碱金属的氮化物和碱金属的磷酸盐中的至少一种，所述碱金属选自Na、K和Li中的至少一种；以及

第三组分，所述第三组分选自单质Fe和单质Ni中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述电解液中第一组分、第二组份和第三组份的质量比为100：(2.5～10)：(0.0025～0.025)。