[发明专利]一种自带参考气室的光电探测器及其制备方法有效
申请号: | 201810036930.0 | 申请日: | 2018-01-15 |
公开(公告)号: | CN108258061B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 刘统玉;宁雅农;孟辉;宋成祥;金光贤;李艳芳;魏玉宾;王寅;王兆伟 | 申请(专利权)人: | 山东微感光电子有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/101;H01L31/18 |
代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 黄海丽 |
地址: | 250101 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学元件 光电探测器 紫外光胶 焊接 被测气体 参考气室 防潮胶 两层 自带 制备 凝固 室内 侧壁打孔 关键器件 光学光谱 焊缝密封 空间组成 吸收气体 参考 焊缝 焊缝处 孔密封 传感器 放入 焊封 针管 测量 保证 | ||
本发明设计了一种自带参考气室的光电探测器及其制备方法,将TO‑can光电探测器的TO管座与光学元件焊封;TO管座与光学元件之间的空间组成参考气室,判断TO管座与光学元件之间是否焊接严密,如果焊接不严密,则将焊接后的将TO‑can光电探测器和光学元件放入被测气体环境中,被测气体在高压下通过焊缝充入参考气室内;利用紫外光胶将焊缝密封;在紫外光胶凝固后,再焊缝处涂上两层防潮胶;如果焊接严密,则在光学元件的侧壁打孔,然后用针管将被测气体注入参考气室内;然后利用紫外光胶将孔密封,当紫外光胶凝固后,再涂上两层防潮胶。本发明是光学光谱吸收气体传感器的关键器件,它的集成和稳定对保证测量精度起重要的作用。
技术领域
本发明涉及光电子器件技术领域,特别是涉及一种自带参考气室的光电探测器及其制备方法。
背景技术
光电探测器在国民经济等各个领域有广泛的用途。在不同应用领域,采用不同光谱波段探测的光电探测器。在可见光以及近红外波段,光电探测器主要应用于射线测量和光谱探测、工业自动控制、光度测量等方面。而利用红外激光光谱吸收原理来测量气体成分和浓度的光电技术具有测量浓度范围大,测量精度高,不需要校正时间长等优良的特性,使激光光谱气体传感器能够广泛的应用。
光学光谱吸收气体传感器包括红外光谱吸收型和红外激光光谱吸收型。由于不同气体在红外区具有其不同的特征光谱吸收峰,当红外光或红外激光通过被测气体时,其光强度在特征光谱吸收峰处将由被测气体调制,光强度调制的幅度和被测气体的浓度成正比,因此通过检测和分析红外吸收峰处的光强变化,可以对被侧气体的浓度检测。
相对而言,光学光谱吸收气体传感器具较有高的抗气体交叉干扰能力,特别是激光光谱气体传感器,具有良好的抗气体交叉干扰能力。由于在实际应用中,通常有几种不同气体会同时存在测试现场,而在测量过程中又需要对气体吸收峰的峰值进行精确地定位,几种不同气体同时存在情况就会在微小气体浓度时,气体吸收峰的峰值的位置不容易精确地确定。为了排除不同气体光谱的干扰,在测量光路中加入被测气体参考气室,也就是将被测气体充入参考气室,然后利用被测气体的吸收峰作为参考标记,使被测气体的吸收峰峰值的位置可以有效的确定,从而增加了测量的准确精度。
一般气体传感器的参考气室大多采用分离的气室,而且将分离参考气室放置在探测器的前端。这种设计要求在光路中有多个分离元件,同时要求的参考气室不要影响到达探测器的光信号。
发明内容
为了解决现有技术的不足,本发明提供了一种自带参考气室的光电探测器及其制备方法,其具有自带参考气室,气体传感器的光路结构简单,加强了传感器的集成度,也便于生产和调试,利于大规模生产效果。
本发明提供的第一种技术方案:
一种自带参考气室的光电探测器的制备方法,包括:
TO-can光电探测器的TO管座上的上的光敏元件与TO管帽的透镜的透光面之间的空间组成参考气室,将TO管座与TO管帽利用封帽机焊封;
然后,将焊接后的TO-can光电探测器放入被测气体环境中,增加被测气体气压;如果TO管座与TO管帽之间焊接不严密,被测气体将在高气压作用下,通过TO管座与TO管帽之间焊缝空隙充入参考气室内;
然后,利用紫外光胶将焊缝密封;最后,在紫外光胶凝固后,再焊缝处涂上两层防潮胶。
本发明提供的第二种技术方案:
一种自带参考气室的光电探测器的制备方法,包括:
TO-can光电探测器的TO管座上的上的光敏元件与TO管帽的透镜的透光面之间的空间组成参考气室:将TO管座与TO管帽利用封帽机焊封;
然后,将焊接后的TO-can光电探测器放入被测气体环境中,增加被测气体气压;如果TO管座与TO管帽之间焊接严密,则被测气体不能通过焊缝充入TO管帽内;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的