[发明专利]一种金属层剥离方法

说明书

本发明公开了一种金属层剥离方法，包括步骤：提供前端结构，前端结构包括芯片区和切割道；在切割道上形成光刻胶层，光刻胶层上端宽下端窄，且下端覆盖切割道；在形成有光刻胶层的前端结构上形成金属层，金属层在光刻胶层的侧壁上形成薄弱处；震断金属层的薄弱处，使得金属层分为两部分；去除位于光刻胶层上的一部分金属层及光刻胶层，保留位于芯片区上的另一部分金属层。本发明通过先震断金属层的薄弱处后对金属层进行剥离的方式使后续剥离去除不需要的金属层区域时更容易，可改善直接剥离金属层所造成的金属层保留区域的毛刺缺陷，进而提高芯片上金属层保留区域的电学性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种金属层剥离方法。

背景技术

功率器件在封装过程中，上下电极与芯片焊接时引入较大内热阻，而正面蒸金工艺从根本上解决了此问题,降低了器件的正向压降VF、提高了芯片的剪切应力，从而提高了芯片的固有可靠性和抗热疲劳性能。在正面蒸金工艺中，需要利用金属在光刻胶和在金属上的粘附力差别，使用外力对光刻胶上的金属进行剥离，是为剥离技术。

在微米、亚微米范围内，利用剥离技术制作微细金属的图形,是一种前景广阔的技术。采用剥离技术制作细线条电极图形的投资较少,金属图形制作过程无机械损伤,表面也不易受污染。

不同于常规的光刻方法，剥离技术是在洁净的晶片材料表面上先溅射或蒸发金属薄膜层,然后涂制光刻胶、曝光、显影、腐蚀(湿法化学或干法刻蚀金属层)、去胶的方法获得微细电极图形。剥离技术的基本顺序是首先在洁净的晶片表面上涂上一层或多层光刻掩膜层,进行曝光、烘烤、显影、后烘烤等不同工艺处理后在基片上得到呈倒“八”字形光刻胶侧剖面几何图形,然后通过蒸发等方法,在基片表面获得不连续的金属层,最后剥离掉掩膜层及其上金属层,而与基片紧密接触的金属电极图形保留了下来。

由于金属图形线宽尺寸大小完全由光刻胶曝光后窗口区域决定,而不是由金属刻蚀工艺决定,在微米、亚微米范围内可以实现精确的掩膜图形的转移和优良的线宽控制。这对那些要求具有高分辨率又不易用刻蚀法形成金属图形的器件,采用剥离技术进行金属化更为合适。当然，剥离技术不局限于制作金属图形,也可用于制作多种薄膜。

剥离工艺技术的研究开发在特殊应用场景下需要考虑许多问题，工艺必须根据适合图形的制作材料、图形要求的最小线宽及其精度、金属图形厚度以及其他要求一起进行考虑。

在正面蒸金工艺的实际生产过程中，用剥离技术剥离正面金属特别是Ag时，很容易造成正面金属层Ag的部分脱落或毛刺现象，从而影响硅片正面金属电极Ag的导电性能。因此，目前亟需解决硅片正面金属层剥离时的部分脱落或毛刺问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种剥离方法，以解决在剥离硅片的正面金属时出现的部分脱落、毛刺现象。

为了达到上述目的，本发明提供了一种金属层剥离方法，包括：

提供前端结构，所述前端结构包括芯片区和切割道；

在所述切割道上形成光刻胶层，所述光刻胶层上端宽下端窄，且所述下端覆盖所述切割道；

在形成有光刻胶层的前端结构上形成金属层，所述金属层在所述光刻胶层的侧壁上形成薄弱处；

震断所述金属层的薄弱处，使得所述金属层分为两部分；以及

去除位于所述光刻胶层上的一部分金属层及所述光刻胶层，保留位于所述芯片区上的另一部分金属层。

可选的，所述前端结构包括多个芯片区和多个切割道。

可选的，所述光刻胶层由多层光刻胶经过多次曝光处理，再显影得到。

可选的，所述在所述切割道上形成光刻胶层的步骤包括：

在所述切割道上淀积六甲基二硅胺蒸气；