[发明专利]一种金属层剥离方法

权利要求书

1.一种金属层剥离方法，其特征在于，包括：

提供前端结构，所述前端结构包括芯片区和切割道；

在所述切割道上形成光刻胶层，所述光刻胶层上端宽下端窄，且所述下端覆盖所述切割道；

在形成有光刻胶层的前端结构上形成金属层，所述金属层在所述光刻胶层的侧壁上形成薄弱处；

震断所述金属层的薄弱处，使得所述金属层分为两部分；

采用外力撕扯金属层去除位于所述光刻胶层上的一部分金属层，保留位于所述芯片区上的另一部分金属层；以及

去除所述光刻胶层。

2.如权利要求1所述的金属层剥离方法，其特征在于，所述前端结构包括多个芯片区和多个切割道。

3.如权利要求1所述的金属层剥离方法，其特征在于，所述光刻胶层由多层光刻胶经过多次曝光处理，再显影得到。

4.如权利要求3所述的金属层剥离方法，其特征在于，所述在所述切割道上形成光刻胶层的步骤包括：

在所述切割道上淀积六甲基二硅胺蒸气；

在所述切割道上涂布第一层光刻胶，并对所述第一层光刻胶朝向所述芯片区的一端进行软烘烤和全面曝光；

在所述第一层光刻胶上涂布第二层光刻胶，并对所述第二层光刻胶朝向所述芯片区的一端进行软烘烤和部分曝光；

利用显影液处理所述第一层光刻胶和第二层光刻胶，获得上端宽下端窄的光刻胶层，且所述下端覆盖所述切割道。

5.如权利要求4所述的金属层剥离方法，其特征在于，所述光刻胶层的形状为自上而下渐窄。

6.如权利要求4所述的金属层剥离方法，其特征在于，所述在所述切割道上形成光刻胶层的步骤还包括：

在利用显影液处理所述第一层光刻胶和第二层光刻胶之后，使用去离子水清洗并甩干所述前端结构。

7.如权利要求1或4所述的金属层剥离方法，其特征在于，所述金属层采用蒸发方法生长而成。

8.如权利要求1或4所述的金属层剥离方法，其特征在于，所述在形成有光刻胶层的前端结构上形成金属层的步骤包括：

烘烤所述前端结构，在所述芯片区上形成钝化层；

在所述前端结构上依次淀积形成钛层、镍层以及银层，使得所述钛层、镍层以及银层在所述光刻胶层的侧壁上形成薄弱处。

9.如权利要求1或4所述的金属层剥离方法，其特征在于，采用超声波清洗机震断所述金属层的薄弱处，使得所述金属层分为两部分。

10.如权利要求9所述的金属层剥离方法，其特征在于，将所述前端结构置于光刻胶清洗液中，利用超声波清洗所述金属层，以震断所述金属层的薄弱处。

11.如权利要求10所述的金属层剥离方法，其特征在于，所述超声波的持续时间为60S至180S。

12.如权利要求10所述的金属层剥离方法，其特征在于，所述超声波为兆声波。

13.如权利要求10所述的金属层剥离方法，其特征在于，所述采用外力撕扯金属层去除位于所述光刻胶层上的一部分金属层，保留位于所述芯片区上的另一部分金属层的步骤包括：

在所述薄弱处被震断的金属层上粘贴胶带；

撕拉所述胶带，去除所述光刻胶层上的一部分金属层，保留位于所述芯片区上的另一部分金属层。