[发明专利]CMOS图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：

基底层，包括多个光电器件；

金属互连层，位于所述基底层上；

多个间隔排列的微透镜，位于所述金属互连层上且分别对应于所述多个光电器件；

多个滤色片，对应覆盖所述多个微透镜；

隔离介质，填充所述微透镜之间的间隔，所述隔离介质的厚度大于或等于所述微透镜的高度和滤色片的厚度之和，所述隔离介质的折射率小于所述滤色片的折射率。

2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述微透镜顶部的滤色片的厚度范围为500nm至700nm。

3.如权利要求1或2所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述微透镜上的滤色片具有均匀厚度。

4.如权利要求1或2所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述微透镜的高度范围为1μm至2.5μm。

5.如权利要求1或2所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述隔离介质的宽度小于或等于400nm。

6.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述隔离介质的材料包括氧化物、氮化硅或有机材料。

7.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底层，所述基底层包括多个光电器件；

在所述基底层上形成金属互连层；

在所述金属互连层上形成多个间隔排列的微透镜，所述多个微透镜分别对应于所述多个光电器件；

形成多个覆盖所述微透镜的滤色片；

在各个微透镜之间的间隔填充隔离介质，所述隔离介质的厚度大于或等于所述微透镜的高度和滤色片的厚度之和，所述隔离介质的折射率小于所述滤色片的折射率。

8.如权利要求7所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述微透镜顶部的滤色片的厚度范围为500nm至700nm。

9.如权利要求7或8所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：调整所述微透镜上的滤色片的厚度，形成厚度均匀的滤色片。

10.如权利要求9所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，采用回流工艺，形成厚度均匀的滤色片。

11.如权利要求9所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，采用光刻工艺，形成厚度均匀的滤色片，其中，所述光刻工艺采用具有渐变透光率的掩膜版，以使得曝光后的光刻胶具有不同的厚度。

12.如权利要求7所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述隔离介质的材料包括氧化物、氮化硅或有机材料。

13.如权利要求7或8所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述微透镜的高度范围为1μm至2.5μm。

14.如权利要求7或8所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述隔离介质的宽度小于或等于400nm。