[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

具有第一表面的半导体基板；

布线层，所述布线层具有第一部分和与所述第一部分分开设置的第二部分，并且所述布线层布置在所述第一表面上方；

布置在所述第一部分上方的介电膜；

布置在所述介电膜上方并且由导电材料构成的导电膜；和

覆盖所述介电膜和所述导电膜的层间介电膜，所述层间介电膜位于所述第一部分和所述第二部分之间，

其中，在与所述第一表面交叉的方向上延伸的空气间隙设置在所述第一部分和所述第二部分之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述空气间隙延伸到达面对所述导电膜的位置。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第二部分是虚设图案。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述布线层进一步包括与所述第一部分分开设置的第三部分，

其中，所述层间介电膜位于所述第一部分和所述第三部分之间，

其中，所述空气间隙不设置在所述第一部分与所述第三部分之间，并且

其中，所述第一部分和所述第二部分之间的距离小于所述第一部分和所述第三部分之间的距离。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述导电材料是金属材料。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，

其中，所述金属材料是氮化钛。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括具有电阻元件的片上振荡器，

其中，所述电阻元件由所述导电膜构成。

8.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在半导体基板的第一表面上方，形成具有第一部分和与所述第一部分分开设置的第二部分的布线层；

在所述第一部分上方形成介电膜；

在所述介电膜上方，形成由导电材料构成的导电膜；和

形成层间介电膜，所述层间介电膜覆盖所述介电膜和所述导电膜，并且所述层间介电膜位于所述第一部分和所述第二部分之间，

其中，形成所述层间介电膜的步骤包括在位于所述第一部分和所述第二部分之间的所述层间介电膜内形成空气间隙的步骤，所述空气间隙在与所述第一表面交叉的方向上延伸。

9.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述导电膜材料是金属材料。

10.根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述金属材料是氮化钛。