[发明专利]扫描接触孔断路缺陷的方法在审
| 申请号： | 201810020521.1 | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN108288592A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 许平康;方桂芹;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 韩晓薇 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触孔 断路缺陷 超声波扫描 判定 扫描 半导体装置 隔离层 衬底 刻蚀 检测 改进 | ||
1.一种扫描接触孔断路缺陷的方法，其特征在于，包括：
对衬底上的隔离层中刻蚀的接触孔进行超声波扫描；以及
根据超声波扫描的结果，判定是否存在具有断路缺陷的接触孔。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
通过比较对不同接触孔进行超声波扫描得到的波形，判定是否存在具有断路缺陷的接触孔。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
通过比较对接触孔进行超声波扫描得到的波形与参考波形，判定是否存在具有断路缺陷的接触孔，其中，
所述参考波形是预定义的参考波形或者通过对接触孔进行超声波扫描得到的所有波形进行平均得到的平均波形。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
当判定存在具有断路缺陷的接触孔时，对机台进行维护。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
当判定不存在具有断路缺陷的接触孔时，对隔离层进行钨化学气相沉积(WCVD)、钨化学机械平坦化(WCMP)和接触孔刻蚀操作，并进行下一次超声波扫描。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
当判定存在具有断路缺陷的接触孔时，确定具有断路缺陷的接触孔的位置。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：
通过确定具有断路缺陷的接触孔的绝对坐标来确定具有断路缺陷的接触孔的位置，其中，
所述绝对坐标指的是具有断路缺陷的接触孔相对于晶圆圆心的绝对位置。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：
当接触孔规则排布时，通过确定具有断路缺陷的接触孔的相对坐标来确定具有断路缺陷的接触孔的位置，其中，
所述相对坐标包括所述具有断路缺陷的接触孔在其所在管芯中的多个规则排布的接触孔中的位置，以及所述具有断路缺陷的接触孔所在的管芯的中心相对于晶圆圆心的相对位置。
9.根据权利要求1-3中任意一项所述的方法，其特征在于：
所述超声波扫描是在气体成分固定的环境中进行的。
10.根据权利要求6-8中任意一项所述的方法，其特征在于：
基于具有断路缺陷的接触孔的位置，对具有断路缺陷的接触孔进行物性分析。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
